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[参考译文] BQ24610:高侧 FET 温度

Guru**** 661510 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18504KCS, BQ24610
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/565507/bq24610-high-side-fet-temperature

器件型号:BQ24610
主题中讨论的其他器件:CSD18504KCS

您好!

我们使用 BQ24610为8.4V 20Ah 电池充电。 我们使用24V 输入电源作为电源、电池充电电流为9A。 我们在连接到高侧和低侧驱动器的输出 FET 上遇到了非常高的温升问题、尤其是高侧。 在2小时左右的时间内、电池处于 恒定电流模式、FET 可从室温升高多达100°C 或更高。 目前、我们的 FET 是 CSD18504KCS 下一个 FET、 其上连接了6225B-MTG 散热器。  

我对电阻损耗和开关损耗进行了一些数学计算、我得到了5W 至8W 的最坏情况、但我们测量的电池充电器的损耗约为14W 至16W。 我想我一定会错过一些东西、我希望您能为我指明正确的方向。

我的此电路原理图副本为 attached.e2e.ti.com/.../SCHEMATIC1-_5F00_-07-BATTERY-CHARGER.pdf

谢谢、

John

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    尊敬的 John:

    这当然听起来很奇怪。 如果 FET 能够处理高达10A 的电流、我知道它能够处理、那么只要热量得到适当的散热、它就应该起作用。

    无论采用哪种方法、我们都建议使用表面贴装 FET、因为这会产生更干净的开关波形、并由于寄生效应更少和布线更短而在转换器上提供更好的响应。

    如果您有可用的示波器、请探测 PH 节点、HIDRV、LODRV 和 VCC。 我想查看开关波形中是否有任何异常。

    此致、
    Steven
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    我已经附加了所有所需的示波器捕获。  

    谢谢、

    John

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    尊敬的 John:

    这些示波器快照具有大量振铃、可能会导致一些问题。 我们需要缓解这些问题。

    最大程度地减小误差的最简单方法是在 PH 节点上添加一个 RC 缓冲器。

    2.在 HIDRV 和 LODRV 布线上添加一个串联电阻器、以减少每个 FET 栅极上的 dV/dT

    3.通过使用表面贴装 FET 优化转换器的功率级来改进布局。 COUT 在检测电阻器之后非常接近、而 CIN 在非常接近 QH 漏极之前。

    您是否正确接地了探头? 尝试使用短电缆将接地引脚尽可能靠近电路板上的测试点以减少任何寄生。

    此致、

    Steven。