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[参考译文] LM53603:电气仿真的内部参数

Guru**** 2391095 points
Other Parts Discussed in Thread: LM53603

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/655144/lm53603-internal-parameters-for-electrical-simulation

器件型号:LM53603

我的客户对 LM53603非常感兴趣。 他们希望通过 PLECS 的仿真工具来仿真器件行为。 因此 、这里有一些问题。

在55°或125°结温下、低侧 MOSFET 体二极管的 VF 值是多少?

2.高侧和低侧 MOSFET 之间的死区时间是多少?

Eon 和 Eoff 的参数是什么? 它用于开关损耗 仿真。

P =(Eon + Eoff)* FS

4. LM53603是否具有拉电流和灌电流行为? 还是只是进行采购?

应用:伺服电机

客户:WW 等级

 

此致、

Brian

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    Brian、

    我已联系设计人员获取1、2和3的答案。

    4.LM53603在 FPWM 模式下具有高达1.5A 的灌电流行为(请参阅 EC 表中的 INEG)。

    我将向您返回1-3的答案。

    Sam

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    Brian、

    感谢您的耐心等待。 我仍在等待听到反馈。

    Sam
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    Brian、

    很抱歉耽误你的时间。 我有:

    2.27C 时 Vf = 0.7V、斜率为-2mV/°C。 55°C 时 Vf = 0.644、125°C 时 Vf=0.504。
    2.左侧死区时间@室温为4.7ns。 在典型条件下、室温下的 HL 死区时间= 4.8ns。
    3、还是得到这个。

    Sam
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    Brian、

    在13.5VIN、5Vout、0.5-3.5AOUT 和2.1MHz 下的测试中、QG 损耗约为60mW。 如有必要、我可以通过电子邮件共享更多信息。

    Sam