[参考译文] TPS56121：12V 至3.3V 15A 配置下的器件故障

Giancarlo、

您似乎主要从数据表中复制了原理图。  首先、您可能需要移除两个输出电容器、使其完全匹配。

这很可能是 EN/SS 电路的问题。  我不会使用 PGD 直接驱动它。  尝试断开该线路并将33nF 电容器直接从 EN/SS 连接到 GND。  如果这解决了您的问题、我们可以制定定序方案。

如果高侧 FET 短路、而它不是 EN/SS、则下一个最可能的原因是您使其处于过压状态。  它可能是 Vin 或 SW 上的过冲或振铃过大。  在 SW 上、还检查是否存在低于地面的过度负偏移。  检查 SW 节点波形时、请使用尽可能靠近 IC 引脚的极短(< 1cm)接地引线。  您的 PCB 布局如何？ 您是否严格遵循了这些指南？  您的输入电源距离有多远？  您可能需要在输入端包含一些大容量电容。

如果您可以发布您的波形、我们可以查找任何可能可疑的波形。

请告诉我这些建议是否有帮助。

您好、Giancarlo、

从描述中可以看到、高侧 FET 似乎 已损坏并发生短路。

我会检查原理图并尽快返回给您。

同时、我建议联系当地质量团队提交 FA 请求以进行跟进。

谢谢。

此致、

Ray Chen

感谢您的回答。 当然、您是否建议：

1) 1)切断从 PGD 到 EN/SS 的路径、并在 EN/SS 到 GND 之间添加一个33nF 电容器

或

2) 2)在 EN/SS 和 GND 之间添加一个33nF 电容器、并保持 PGD 和 EN/SS 之间的连接？

不过、我不理解的一点是、芯片应该提供过流保护(对于35A 以上的电流)、而我们的电感器应该在35A 以上饱和。 是否在启动期间禁用该功能？

 我应该布置什么波形？

您好、Giancarlo、

对于调试、我建议先将电源轨与 PGD 隔离、这将是第一种方法。 如果#1可以消除损坏高侧 FET 的风险、则您可以移动以验证 PGD 的影响。

对于高侧过流保护、电流感应电路通常需要 一个消隐时间、以避免在高侧开启后对开关噪声进行采样、在启动期间启用高侧 OC 保护、 但在有限的周期内、实际 PWM 脉冲宽度可能小于消隐时间、然后在这些开关周期中、高侧 OC 电路会被等效禁用。

关于波形、我建议在  启动期间测量电感器电流、开关节点、EN/SS 和 COMP。

谢谢。

此致、

Ray Chen

尊敬的 Ray：

我们按照您的建议测量了开关节点 EN/SS 和 COMP 处的波形。 请查看此帖子随附的示波器中波形的照片、以及我们在其中进行测量的节点突出显示的原理图。 A 板已根据您的建议进行了修改、而 B 板尚未修改。

您在其中看到了什么有意义的东西吗？

谢谢、

Pietro  

原理图

VE-Vd (COMP)、电路板 A

VE-Vd (COMP)、电路板 B

VC-Vd (SW)、电路板 A

VC-Vd (SW)、电路板 B

VA-Vb (EN/SS)、电路板 A

VA-Vb (EN/SS)、电路板 B