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器件型号：TLV733P 我的客户正在使用 PSIJT 和 PSIJB 参数来计算其设计中 TLV73318PDQNR 的结温。 它们使用的热敏电阻位于 IC 外壳和 IC 正下方的接地端。
在运行期间、它们 的数据显示了73.8C 时的接地温度和 电流为210mA 时芯片顶部的88.2C 温度。 功率耗散为0.315W (3.3Vin 至1.8Vout @ 210mA)。
使用 PSIJT 、芯片温度 的计算公式为 ：88.2C +(5.6C/W x.35W)= 89.964C (环境温度为23.3C)。
使用 PSIJB 计算结温为 ： 73.8C +(163.9C/W x .315W)= 125.4 C
1) 它们的计算为何会有这样的差异？
2) 这些计算和/或其设置是否有效？
3) DQN 封装中 TLV733P 的 PSIJB 参数明显高于 SOT-23封装的 PSIJB 参数(163.9C/W 与54.8C/W)。 这与直觉相反、因为 DQN 封装的底部有一个外露焊盘、该焊盘应能更好地传导热量。 这些值是否正确？
4) 使用 PSIJB 进行的计算是否假定散热器完美无其他热源？ 客户电路板具有许多其他有助于电路板温度的热源。 这是否会影响计算？
