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[参考译文] LM5114:LM5114B CL 电容器问题的设计

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5114
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/654254/lm5114-design-for-lm5114b-cl-capacitor-problem

器件型号:LM5114

您好、先生、

如图所示、CL 的变化将影响开关上升时间和下降时间。 在中、当 CL 达到5000pF 时、上升时间为41ns、 对于6.78MHz 频率、周期/ 2超过一半、但在规格中、CL 不清楚电容器的位置?


1.您能问 CL 在哪里? 输出负载电容器是吗?

2.如果是、则通过标记红色圆圈表示升压转换器的输出电容器。 它是否会影响输出电压波形或纹波的完整性。 它是否会影响前栅极驱动器的输出?
此外、升压转换器的输出电容通常高于 UF 电平、根据 LM5114规范、CL 变化1000pF ~ 10000pF 远低于 UF 电平
4.是否有任何针对 CL 的上升时间/全时间等式?
谢谢你

Kevin

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    尊敬的 Kevin:

    很高兴听到您的声音!

    CL 用于描述被驱动的负载电容、即功率 MOSFET 的输入电容。 这通常在功率 MOSFET 数据表中描述为 CISS。

    这是升压转换器的滤波电容器。 它的值不会直接影响栅极驱动器。

    3. 这不适用。

    4、栅极上升/下降时间为一阶 RC 时间常数、由功率 MOSFET 的输入电容、栅极电阻器和驱动器的输出电阻组成。

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    谢谢 Don