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[参考译文] LM9061-Q1:LM9061短路和并联 MOSFET 运行问题

Guru**** 675400 points
Other Parts Discussed in Thread: LM9061, LM5069
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/653975/lm9061-q1-lm9061-short-circuit-and-parallel-mosfet-operation-issues

器件型号:LM9061-Q1
主题中讨论的其他器件:LM9061LM5069

有人知道 LM9061在其典型应用中使用时是否会处理 FET 上的死区短路?  我正在从事电流限制为30A 的应用。  当处于过载状态但未出现接地故障时、阈值起作用。  如果将电子负载降至30A 以上、电路将正确关断。  当我在 MOSFET 上放置一个死区短路以接地时、MOSFET 每次都熔断。  请注意、我使用汽车电池作为电源。  我怀疑我可能必须在线路中添加阻抗、以减慢电流响应时间、从而使阈值发生反应。  或者可能是01uF 延迟时间太长。  但是、我无法缩短时间、因为负载具有很大的浪涌电流。

此外、在多个并联 MOSFET 中使用 LM9061时、似乎其中一个 MOSFET 总是出现故障、但其他 MOSFET 正常、这表明负载共享不相等。  所有 MOSFET 都是相同的器件型号。  那么、为什么会发生这种情况呢?  它是布局的函数吗?  在使用并联 MOSFET 时、是否有任何关于最佳布局的建议以及对此问题的任何其他一般性建议都可以消除?

谢谢、

GV

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    GV、

    LM9061没有电流限制功能。  这是一个断路 器、因为电流可能上升到高于过流阈值、而不会对 FET 栅极产生任何影响、并且会在延迟计时器完成后关闭。   需要系统阻抗来限制 电流 上升时间、这几乎无法在直接输出短路时进行控制。   如果您的应用不需要 Q1汽车额定值、LM5069将通过电流限制和 FET 功率限制(SOA)保护 FET。  它是一款更好的热插拔器件。  FET 熔断可能是由于短路期间的电流不平衡(蚀刻路径 偏差)。  由于 Rdson 的 PTC 性质、FET 共享效果良好、但无法 克服 布局上远 FET 的长路由。  LM9061中的关断下拉电阻较弱、因此在故障超时关断期间、一个 FET 很可能会在断电时通过其线性区域、然后再吸收关断能量(如 SMPS 开关损耗)、而其他 FET 则不会。  这通常取决于 Vpl平台 或 Vgs th、而不取决于 PCB 位置。

    Brian