[参考译文] LM5146：IC 预热问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LM5146

你(们)好我正在从事基于 LM5146的降压转换器设计。我可以从 IC 输出获得12伏的电压。但在无负载的情况下、IC 会升温72摄氏度。我确信这不是正常现象。这是图。问题可能出在哪呢？我已经多次检查过没有短路、并重新焊接了新 PCB 的组件。

当 ı Ω 从 PCB 上移除 MOSFET 时、 IC 温度将达到23摄氏度。

低侧和高侧 MOSFET 栅极引脚

开关节点

0 admin 2 年多前

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您好！

波形看起来正常。我将检查并验证器件中的预期损耗、具体取决于所使用的 MOSFET。 MOSFET 的总栅极电荷直接影响 IC 温度。

这是由器件内部 LDO 提供的栅极驱动电流造成的。器件中的损耗是由 IQ 和所述的栅极驱动电流造成的。计算器件总功率的公式大致等于。

PlossIC=(Iq+IGD)*Vin

其中 IQ =器件的静态电流= 1.8mA (典型值)

和

IGD= Qgtotal*Fsw

其中 Qgtotal 是所有 HS 和 LS MOSFET 的总栅极驱动、而 Fsw 是开关频率。

计算此数字后、您可以通过获取器件的 RJA 来近似计算器件的温度上升、该值为~37C/W

在24V 输入电压下并在其限值(例如50mA)下运行 VCC 时、您的损耗为~1.25W。 1.25W*37C/W=46C

46C+25C 室温= 71C

如您所见、如果所用 MOSFET 的总栅极电荷较高、则可以将 IC 温度提升到高于预期水平。

如果您计算出的损耗远低于上述值、请检查焊接以确保 DAP 与 PCB 上器件下方的铜覆铜连接良好。

希望这对您有所帮助。

David。

0 admin 2 年多前

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请完成 LM5146快速入门计算器以检查组件功率损耗。在该电流电平下、无需使用并联 FET。此外、请查看 LM5146 EVM 以了解合适的组件选择和功率级布局。

此致、

Tim

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