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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1178115/bq76952-bq76952-voltage-built-up-when-ocd1-is-triggered-while-driving-inductive-load
尊敬的 TI Guru：
我们在低侧使用 BQ76952、OCD1设置为140A、同时运行大约30uH 的电感负载。 现在、当 OCD1触发时、SMCJ60CA 的 TVS 会失败、因为充电 MOSFET 源极处累积的电压 为几百伏、持续40至50uS 左右。 感谢您的快速帮助或参考。
提前感谢您、
Anand
Anand、您好！
这可能意味着器件关断 FET 的速度太快、这会由于电感尖峰(V = L*di/dt)而导致高电压瞬态
以下是一篇 e2e 文章、其中讨论了短路情况下的主题： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1054353/faq-bq769142-mosfet-short-after-short-circuit-test---voltage-now-always-on/3900591#3900591。
您可以尝试使用更大的栅极电阻器来降低 FET 的开关速度。
此致、
Luis Hernandez Salomon
尊敬的 Luis、感谢您的回复。 我唯一担心的是降低 FET 的开关速度、 因为在充电 MOSFET 时 TVS 上的累积电压会延长、因此它们在 SCD 期间不应失效。 除了此处讨论的方法之外，还有其他方法吗？
谢谢、此致、
一天结束时、这是由于布线/负载的电感而导致的器件物理行为。 我唯一可以建议的其他方法是尽可能减小路径/布线的电感。 或者可能选择额定电压高于电压尖峰的 TVS。 可能可以实施齐纳二极管、以钳制电感尖峰的电压。
我想、在发生 SCD 事件时、电压瞬变会更高、然后我在前面分享的 e2e 帖子中讨论了这些主题。
您期望的电流是多少？ 对于 OCD1、140A 看起来相当高。
如果需要、您还可以共享原理图、以便我可以查看。
您好、Luis、感谢您的回复。 SCD 可能不是问题、因为它不会是电感负载。 而感应负载约为30-40uH 的140A OCD 可提高长期峰值。 偶数齐纳二极管 的耗散不能超过20 - 30A、持续时间约为0.1ms。 在进行更多实验后、我会与您分享原理图、请您在此处评论我的分析+欢迎您在此处提出更多想法。
这对我来说很有意义。 目前我没有其他意见、但我期待您的原理图和您所进行的实验。
从 BMS IC 的角度来看、我们只能减慢开关速度、以最大程度地减小产生的瞬态。 此外、您还可以尽可能减小电感、但在您的应用中、这似乎是不可能的。
我将等待您的回复！
尊敬的 Luis、借助修订版电路板、我将 OCD1降低到了80A。 现在、电视可以承受。 但是、当使用更高的电感负载来实现更高的 OCD1阈值时、还有哪些其他 解决方案呢？
正如我提到过的、遗憾的是、从 IC 的角度来看、除了降低开关速度以尝试最大程度地减小由高电感导致的瞬变之外、还没有太多事情要做。 但是、正如您提到的、这可能会导致 SCD 保护问题。
如果电压达到数百伏、您可能会增加火花隙、这些火花隙也可能会因瞬态而承载部分电压/电流(就像 ESD 保护一样)。
