请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：BQ24800 主题中讨论的其他器件： BQ33100
大家好、团队成员
我们的客户希望使用我们的 BQ24800 + BQ33100来设计保持模块。
如果 BATLOWV 阈值限制充电电流对我们来说是可以的、那么这种组合是否可行？
大家好、Peng
感谢你的答复。
如果我们使用超级电容器组2s~9s、会不会有什么不同？
`s 您还有疑问、我是否可以帮助您与我们的客户进行在线会议以讨论详细信息？
大家好、Peng
感谢你的答复。
客户添加了我无法回答的更多问题。 请问您能给我快速回复一下吗？
设计规格：
VIN=12.5V
仅电池升压模式 Vo=12.36V
VBATT 充电电压= 9.38V
VBATT 充电电流= 8.4A
VBATT 放电电流=待定
备用模式 Pout=240W
频率：待定
您能否为 BQ24800 + BQ33100提供参考电路
2.如果移除 BATFET、BATDRV 和 BATSRC 可以悬空？
3.如果没有 ACFET，CMSRC & ACDRV 可以悬空？
4.为什么主机可以在 BATPRES 为高电平(电池不存在)时启用充电？ 
CIN 对8A 充电电流的最低有效电容要求？
6.对于内部补偿的"C"值，只需要计算 MLCC，或者需要包括大容量电容和超级电容的电容？
7.以下哪项描述是正确的(1.6/2.4V 或1.5/2.3V)？
表8 => 38H 位5为1.6V 或2.4V
8.4.3仅电池升压模式=> 38H 位5为1.5V 或2.3V
8.对于 A7N 设计，VBOOST 需要升压到12.36V 用于 VSYS，VsysMin()应该设置为12.36-1.5V=10.86V? 1.5V 和2.3之间有何差异？
9.仅电池升压模式下的 VBATT 最低电压要求是什么？
10.是否可以选择小于5m Ω 的 RSR 以降低电流感测的功率损耗？
BQ24800能否驱动2*HS 和2*LS MOSFET，栅极驱动能力如何？
如果我们使用 BQ24800 + BQ33100，那么超级电容器电容/ESR 测量流程是什么？
13.我们能否在系统运行期间在正常上电后测量电容 ESR/ESR？
14. BQ24800和 BQ33100是否需要预编程？
