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[参考译文] TPS23523:TPS23523数据表规格可能需要更正

Guru**** 2393725 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19532Q5B

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/741596/tps23523-tps23523-datasheet-spec-might-need-correction

器件型号:TPS23523
主题中讨论的其他器件:CSD19532Q5B

大家好、

描述:

(1)测试 GATE2时、我发现实际拉电流为5mA、而不是50uA、请对此进行评论。

(2)请参阅数据表图。 如数据表所述、当负载电流增加时、BGATE 必须上升到更低的 Rdson、以模仿 ORing MOSFET 上的25mV 压降。 但是、我发现当电流增加时、BGATE 将与图相反地下降。 12.当电流增加时,RDSON*I_IN 将增加,从而导致 Neg48下降。 在这种情况下、AMP 会降低其输出、因此 BGATE 倾向于推动 MOSFET 关闭、这显然与数据表中所述的情况相矛盾。

因此、

(1)请指出 GATE2的实际拉电流;

(2)请检查 AMP 的输入极性是否正确绘制。 非常感谢!

-文豪

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    您好、Wenhao、

    我将深入研究并返回给您。

    此致、
    Rakesh
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    您好、Rakesh、

    请在本周五之前提供答案吗? 很抱歉、我们将您推送、但这对我的客户来说非常重要。 感谢您的大力帮助!

    -文豪
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    您好、Wenhao、

    (1)请指出 GATE2的实际拉电流
    您是如何测量 GATE2拉电流的?

    (2)请检查 AMP 的输入极性是否正确绘制。
    您的解释正确。 当负载电流增加时、BGATE 必须上升至较低的 Rdson、以模仿 ORing MOSFET 上的25mV 压降。 我们将研究极性并在下一个数据表修订中采取措施

    此致、
    Rakesh
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    您好、Rakesh、

    我没有直接测试拉电流。 相反、我计算了它、请参阅下面的波形。 就 GATE2而言、测试23523的 EVM 时、csd19532q5b Vgs 需要~11us 才能达到15V。 此外、csd19532q5802.11b 技术的 Ciss 为3.7nF。 使用 C*dv/dt 计算电流,拉电流值大约为5mA,而不是50uA。

    此外、您能否澄清用红色圆圈标出的比较器的用途? 这是否意味着当负载电流上升过快且 Oring MOSFET 大幅阻止电流增加时、将使用1.5mA 拉电流(15V/10kOhm)触发 BGATE 为高电平?

    感谢您的大力帮助!

    -文豪

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    您好、Wenhao、

    由于主 FET 已导通且 VDs=0V、GATE2的有效电容将低于3.7nF。 理想的测量方法是在 GATE2放置一个10nF 的电容并捕获波形。

    图中标记的比较器是用于 BGATE 的 FWD-快速(正向-快速)比较器。 在启动期间、OR-ing FET 的体二极管为快速上升负载电流提供了路径、OR-ing FET 上的正向压降将很高。 因此、控制器快速导通 OR-ing FET、拉电流为1.5mA (15V/10kOhm)、以减小 OR-ing FET 体二极管上的应力。

    此致、
    Rakesh