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[参考译文] UCC28780:UCC28780 tCSLEB

Guru**** 2391415 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/736423/ucc28780-ucc28780-tcsleb

器件型号:UCC28780

您好,
UCC28780 数据表第25页中、它显示"在 LPM 模式下、PWML 的最短导通时间可进一步缩短至 TON (min)、从而使峰值磁化电流降低到超过峰值电流环路的 tCSLEB 所限制的水平。"
根据我的理解、tCSLEB 设置为固定值、并且与峰值电流环路没有任何关系。
如何了解峰值电流环路的 tCSLEB 限制的电平?

此外、在本页中还显示"在这种情况下、LPM 控制环路的运行从电流模式控制更改为电压模式控制、因此 PWML 的导通时间调整不限于 tCSLEB。"
根据我的理解、在此模式下、VCST 由 IFB 决定以实现输出调节、因此它仍然是电流模式控制。
如何了解它从电流模式更改为电压模式?


BR
陈十一

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    尊敬的 Eleven:

    在开关模式电源中、反馈信号与斜坡信号进行比较、以生成 PWM 逻辑。 对于反激式的电流模式控制、斜坡信号是 MOSFET 电流。 由于开关操作、MOSFET 初始导通期间可能会出现噪声尖峰。 为了防止由于该噪声而过早关闭 FET、前缘被"消隐"。 前沿消隐的影响是 FET 的最短导通时间等于前沿消隐时间、并且在前沿消隐时间过期之前无法终止脉冲。

    为了进一步缩短 tCSLEB 之后的导通时间、该器件从电流模式控制切换到电压模式控制。 这意味着将反馈信号与内部斜坡信号而非初级 MOSFET 电流进行比较。 这使得控制器的导通时间少于前沿消隐时间。

    有关电流模式控制与电压间的关系的更多参考、请查看此设计手册:www.ti.com/.../slua119.pdf

    此致、
    本·洛夫
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    您好、Lough、
    感谢您的回复。
    在数据表中、显示"峰值电流环路的 tCSLEB 限制的电平"、实际意思是最小 tON 限制为 tCSLEB、如果所需的 tON 小于 tCSLEB、则器件将进入电压模式控制、对吧?

    在 LMP 模式下、只有在 PWML 的导通时间小于 tCSLEB 后、控制器才会进入电压模式、对吧?
    如果 PWML 的导通时间高于 tCSLEB、则控制器仍在电流模式下工作、对吧?

    在 LPM 模式下、将内部斜坡信号代替 MOSFET 电流与进入电压模式的 IFB 信号进行比较。
    从这个角度来看、ABM 和 SBP 的控制模式是什么?

    我认为 AAM 完全是电流模式控制。

    BR
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    尊敬的 Eleven:

    是的、在低功耗模式下、如果所需的导通时间小于 tCSLEB、则控制器将使用电压模式控制。 如果所需的导通时间大于 tCSLEB、则控制器使用电流模式控制。

    ABM 和 AAM 是电流模式控制。 在 SBP 模式下、控制器将在每个突发数据包中发送两个 Ton (min)脉冲。 突发数据包的频率随着负载的降低而降低。 我认为这是频率调制的结果、而不是严格的电压模式控制。

    此致、
    本·洛夫