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主题中讨论的其他器件：LM5104你(们)好
我需要使用方波40Vdc 电源、10-125A 的可调电流以及2到20kHz 的可调频率。
这是可以实现的吗？ 如果是、如何操作？ 不熟悉这一点、需要一些方向
提前感谢您
Steven
你(们)好
我们有一个 Sorensen 电源。 它的输出为40Vdc 和125A。 遗憾的是、~20kHz 方波是我们正在进行的此测试的关键组件。
该电源无法实现该目标、但我们可以将其用作 Vin？ 如果不是 三相线路线路：首选200VAC-240VAC。
在此阶段没有关于压摆率的规格。 我认为越快越好、但并不重要。
负载是 电阻 负载。
测试需要运行多个负载。 为了节省一些成本、我们希望通过将方波切换为异相来为两组负载使用一个电源。 不确定这是否可以实现。
谢谢你
Steven
您好 Steven、
起初、我是按照与您的图纸相同的思路思考的。
您的 MOSFET 显示在电桥配置中、这将允许进行+-40V 开关输出。
但您需要-40V 吗？
如您所示、创建+-40V 电压需要驱动4个 MOSFET。
电源和负载之间的简单切换将调制负载的电源。
这将产生0至+40V 方波输出。
这是 TI 应用手册中的图片；
大电流电机驱动应用中的关断开关
http://www.ti.com/lit/an/slva991a/slva991a.pdf
您的电源在其输出端可能具有足够的电容、以将导通尖峰保持在足够低的水平。
但是、如果需要、您可以在开关之前增加一些电容、以便电容器将电流尖峰拉入负载。
TI 具有高达100V VDS 的功率 N FET
http://www.ti.com/power-management/mosfets/n-channel-transistors/products.html#p267=59;100
这个 MOSFET 是一个需要考虑的因素。
www.ti.com/.../csd19532ktt
100V、4.6m Ω mΩ、D 2PAK (TO-263) NexFET
我建议3或4并联、以保持损耗和热量较低。 
NPN PNP 栅极布置的成本最低。
为了获得所需的波形动态、您需要对驱动栅极的电流进行实验。
连接负载和开关(正极和接地端)的导线具有电感、这将在开关中引起电压尖峰。
V=LDI/dt。
您应该在设计中考虑一些钳位和/或缓冲器来控制这些尖峰。
否则、它们可能会通过超出 MOSFET 的 VDS 额定值来损坏 MOSFET。
我欢迎你的想法。
您好 Steven、
产生40V 125方波转换与产生高电流直流/直流转换器是一回事。
您要 生成的方波是降压转换器的电感器的输入内容。
降低流向电阻负载的电流的唯一方法是降低负载的平均电压。
I=V/R
如果您希望10安培脉冲进入固定的 R、则必须控制施加的 V。
为了 保持方波电流脉冲、必须控制开关的输入电压。
下面的电路可以将电源切换到负载。
您可以通过调整您的 Sorenson 电源的 Vset 来调整 Vin。
LM5104的 IN 是要应用于负载的频率和占空比。
要调节电流、您需要调节 Sorenson 的 Vout、即该转换器的 Vin。
占空比控制允许您改变平均电流。
如果您需要真正的50%占空比方波、您可以这样做。
您将切换大量电流以形成方波。
上图中的 MOSFET 需要较大。
当您查看与输入电压和输出电流类似的设计时、它们都是多相的、许多直流/直流并联的。
您会看到每个位置的多个并联 MOSFET、可能还有多个仅用于控制热量的功率级。
这些是需要考虑的事项。