[参考译文] LM5119：导致器件故障的客户设计错误

尊敬的 Andrew：

 您知道发生故障时的 Vin 和 Iout 情况吗？ 下面是我的想法。

 LM5119 输入电压速率为65V。 如果您的输入电压高达65V、则开关期间的瞬态 Vin 电压可能超过65V 并损坏 IC。

另一种可能是开关节点上的高电压尖峰。 您能否检查使用示波器探针检查 SW 电压尖峰？

LM5119内部 LDO 用于为栅极驱动电路供电。 当 VIN 为高电平时、IC 上的功率损耗可能会很大。 您能否在高输入电压条件下检查 IC 温度是否非常高？

4. 如果故障发生在 Vout 转换期间、您能否降低转换压摆率并查看故障是否与 Vout 压摆率有关？

谢谢

钱

您好、钱
非常感谢您的帮助。

当我注意到故障时、VIN 高于42V。 我认为输入电压较低时没有发生过这种情况、但我无法100%确定。 在有负载和无负载的情况下发生。

1.我将 HV 电源轨(Vin)限定在各种电压和负载下。 峰值比标称值高+2V。 对于一个常见的开关轨、它看起来非常干净。
2.是的！ Vin=40V 时的 SW 节点振铃为+68V。 它在某种程度上取决于负载。 Vin=50时、SW 节点振铃高达+80V。 我没有尝试 Vin = 65V、因为它显然会过大。 这几乎肯定是我失败的原因。
3. LM5119 IC 温暖但不热。 我通过来自单独12V 电源的二极管为两个高侧栅极驱动器提供+12V 电压、因此内部 LDO 稳压器不应执行任何工作。
4.好主意。 我将计划压摆率限制任何输出电压变化、只是为了安全起见、但我认为项目2可能是导致故障的原因。

我已经对缓冲器进行了实验、可以减少 SW 节点上的振铃、但价格是缓冲器中的功率耗散增加。 3.3nF 和10欧姆的串联组合可在不产生过多功率损耗的情况下提供合理的结果。 更大的电容器值在减少振铃方面更好、但电阻器功率耗散会以惊人的速度上升。

我还将研究一个栅极或自举电阻器、以减缓高侧 FET 的导通。 您是否有任何价值建议？

此致、
Andrew

进一步试验缓冲器值、使 SW 节点上的过冲再次减少30%。 我现在有一个1欧姆电阻器和一个3.3nF 的串联电容。 缓冲器中的功率耗散变化不大(似乎主要取决于电容器值)、但我将电阻器的额定功率增加到0.5W、使其位于安全侧。

在最坏的情况下、我现在只略高于75V 的器件限值、因此、希望添加自举电阻器或铁氧体将使我进入器件限值、而不会对效率造成太大的影响。