[参考译文] CSD17483F4：Vgs 的最小额定值是多少

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器件型号：CSD17483F4
主题中讨论的其他器件：CSD17382F4

您好！

我的客户有以下问题：

Vgs 的最小额定值是多少？我知道数据表显示 max 是12V、但栅极在损坏之前可以达到比源极电压低多少？许多数据表将 Vgs 指定为范围、但我没有看到此数据表中指定的下限。我们怀疑使用-1.2V 的 Vgs 损坏 FET、但不确定、因为数据表未指定。

谢谢、

Chuchen

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 730290 points

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Chuchen、

感谢您提出问题并考虑我们的器件。
12V 是您可以放置在器件栅极上的最大电压、任何高于此值的电压都将开始损坏栅极。
对于最低电压、我们保证 MOSFET 电阻、这位于数据表第5.1节的第3页、为1.8Vgs。在1.2Vgs 下运行不会损坏栅极、但无法保证性能水平。如果您查看数据表中的图7、您可以看到、即使在1.8Vgs 时、电阻与 Vgs 之间的曲线也非常陡峭、1.2V 时、它将几乎垂直并达到无限电阻。器件阈值的极小变化(批次间和工艺之间的变化正常)对电阻具有巨大影响、因此我们无法保证任何类型的电阻性能@ 1.2Vgs。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 730290 points

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大家好、我认为这个问题被误解了。我们有一个应用可能会对 FET 的栅极施加负 Vgs。我想知道栅极和 FET 在什么电压下会受到损坏。我们不需要它在这些低 Vgs 电压下导通；只是不会损坏。谢谢。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 730290 points

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克利夫顿

好的、现在我理解了这个问题。
如果您在栅极上施加负电压、则该器件在栅极和源极之间具有单端栅极 ESD 保护二极管。从栅极到源极的该二极管将正向偏置并导通。在数据表中、有一个规格说明了流经此栅极二极管的最大电流为35mA。如果超过此值、器件将损坏。
另一种选择是使用 CSD17382F4，这是引脚对引脚的30V 电阻更低，并且具有背对背 ESD 二极管保护，但此器件会造成损失(与 FET 上的任何背对背 ESD 栅极保护一样) 栅极泄漏要高得多、但您可以在器件上放置-1.2Vgs 的栅极驱动电流、这是没有问题的。泄漏电流将小于5uA。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 730290 points

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明白了。谢谢！

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