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[参考译文] CSD18543Q3A:栅极驱动器选择和电路(ORing)

Guru**** 662690 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A, LM5022, LM5050-1, LM7480-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1183692/csd18543q3a-gate-driver-selection-and-circuit-oring

器件型号:CSD18543Q3A
主题中讨论的其他器件: LM5022LM5050-1LM7480-Q1

选择 CSD18543Q3A 作为我的开关后、我需要有关支持连接的帮助。 我有一个3.3V 微控制器、我想控制 MOSFET。 此应用需要在两个外部电压之间切换- 32VDC 和40VDC、电流范围为5mA 至3A。 热环境应耐受至少75°C 的温度。电源使用的 LM5022设计已经使用了此开关、这就是我想再次使用它的原因。

我的目的是让两个电压中的一个通过二极管(https://www.smc-diodes.com/Products/Discrete/Schottky-Rectifiers/SBRD10200)持续连接到负载、并根据系统功能的要求切换另一个电压。 您能否协助选择合适的驱动器和支持无源器件、从而实现完整的解决方案? 原理图会有所帮助。

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    我们的办公室目前在美国年末假期关闭。 我们将很快回复您的请求。  

    此致、  

    Don

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    Daniel、您好!

    感谢您的查询。 CSD18543Q3A 需要4.5V 的最小 Vgs 来保证导通电阻。 我们不建议仅使用3.3V 驱动栅极、因为导通电阻会发生很大变化、如数据表第1页的 RDS (on)与 Vgs 曲线所示。 根据您的描述、这是一个 OR'ing 应用、其中 FET 配置为高侧开关(即源极相对于 GND 浮动)。 在这种情况下、必须驱动栅极、使其至少比输入电压高4.5V。 LM5050-1等器件可能是控制 FET 的好选择。 请看一下、我会将此主题重新分配给我们的电源开关应用团队。

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

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    谢谢你。 以下内容是否正确?

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    Daniel、您好!

    LM5050-1以二极管方向驱动 FET、即 N-FET 源极连接到输入端、漏极连接到输出端。 在这种方向上、当输入电压大于输出电压时、FET 的体二极管将正向偏置。 因此、当输入电压大于输出电压时、即使使用 LM5050-1的"off"引脚关闭 FET、也会有正向电流流经体二极管。 因此、为了控制正向电流的流动、您需要一个控制器来驱动 FET、其方向与二极管方向相反(即、N-FET 源极连接到输出端、漏极连接到输入端)。  

    您将需要  反向电流阻断功能+正向电流控制。 因此、使用的正确控制器是 LM7480-Q1。  

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    我不太理解如何正确使用它。 我是否会使用两个 LM7480-Q1控制器和四个 MOSFET? 您能否向我展示一下这些器件是如何进行有线连接的?

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    是的、您需要 两个 LM7480-Q1控制  器和四个 MOSFET、如下所示、以便在每个电源轨上实现反向电流阻断功能+正向电流控制。

    有关电源开关的更多信息、请参阅以下文档: