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[参考译文] TPS65381A-Q1:为 RM57L843供电-使用24V 电源输入时的一些问题

Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: RM57L843, TPS65381A-Q1, TIDA-00548, TPS65381EVM, TPS62170
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/732944/tps65381a-q1-powering-rm57l843---some-questions-when-using-24-v-supply-input

器件型号:TPS65381A-Q1
主题中讨论的其他器件:RM57L843TIDA-00548TPS65381EVMTPS62170

您好!

我想使用 TPS65381A-Q1为 RM57L843供电。 我需要考虑+24VDC 输入。

我注意到、此配置缺少可用的参考设计。 我找到了一些参考选项:

RM46CNCD

TIDA-00548 (这是一种4-20mA 参考设计+ RM41)

SLVA830 (动力转向参考设计)。

 TPS65381EVM

有其他设计可用于通过 TPS65381为 TMS570器件供电

RM57L843在1350mA 时需要1.20V 电压、因此我看到有两个选项。

实现连接到 TPS65381A-Q1的外部 FET 并管理热耗散。

2.实施外部降压控制器、例如在 TIDA-00548中、并将其输出用作 TPS65381A-Q1的1.2V 反馈。

我觉得解决方案1是最简单的途径、但我非常担心热问题、因为我知道 RM46CNCD 电路板过去已经出现了相当大的热量。 我找不到 TPS65381的 webench 选项、因此很难检查性能。

是否有人可以就以上第1点或第2点提供任何建议或反馈、等等是否有 RM57L843 + TPS65381参考设计可用?

谢谢

太棒了!

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    您好!

    我已将您的请求指派给负责的应用工程师、我们将尽快回复您。

    此致、

    Murthy
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    您好、Stomp、

     

    感谢您的提问。  

     

    实际上、使用24V 输入电源时的热设计注意事项是最重要的考虑因素。  TPS65381A-Q1包括一个从输入到6V 的前置稳压器、然后是具有集成 FET 的下游 LDO、适用于除 VDD1之外的所有稳压器。  VDD1用于生成内核电压、它是一款具有外部 FET 的 LDO 控制器、但 SENSE 引脚还可用于在热性能和效率问题需要采取此方法时监控直流/直流转换器的输出。   在某些情况下、可能需要提供从24V 到中间电压(例如8到12V)的预调节、以分散功率耗散。  

     

    由于您使用的 RM57L843需要1.350A、因此、如果您以最大能力使用它以实现效率和热性能、则几乎肯定需要为内核电压轨使用 DCDC。  

     

    TI 参考设计 TIDA-00548使用6V 前置稳压器轨作为直流/直流 TPS62170的电源。  只要 VDD6上的总负载不超过其额定1.3A 输出、并且系统的热设计能够使 TPS65381A-Q1保持在150C 的最大额定结温下、这是可以接受的。  在某些情况下、替代方案可以将24V 电压预调节到 TPS65381A-Q1中、或直接从24V 为内核电压轨 DCDC 供电、 但这可能是一个巨大的挑战、具体取决于24V 输入的变化、以确保1.2x V 电压轨上的纹波足够低、并具有如此高的输入输出电压比和直流/直流转换器的最短导通时间。

     

    另一个注意事项是、RM57L843的内核电压轨为1.14V 至1.32V、当典型电源为1.20V 且 TPS65381A-Q1的电压监控与典型值对称时、这不是对称的范围。  通常情况下、TPS65381A-Q1选择1.23V 作为典型值、因此最坏情况下、电压监控会检测到 UV 和 OV:  在 VDD1电阻分压器提供1.23V 输出的情况下、VDD1_UV 阈值将介于1.1562V 和1.2054V 之间(不包括电阻器容差)、VDD1_OV 阈值将介于1.2669V 和1.3038V 之间(不包括电阻器容差)。  建议使用容差为0.1%或更佳的电阻器。  

     

    过去有几篇 E2E 文章展示了适用于内核电压轨的替代 DCDC 设计、从而在 PCB 上灵活放置功耗和热性能注意事项。  我已将其重新连接到此 E2E。  

    e2e.ti.com/.../8078.2017_2D00_02_2D00_03--TPS65381A_2D00_Q1-with-External-DCDC.pdf

     

    我们还发布了一个热估算器、其中包括 VDD6前置稳压器和 FET 的外部二极管中的功率(使用 VDD1 LDO 控制器时)。  我也重新连接了它、以帮助根据热设计注意事项估算功率耗散。

     

    e2e.ti.com/.../2016_2D00_10_2D00_12-TPS65381-Power-Estimator-Draft-_2D00_-E2E.xlsx

     

    如果您有其他问题、请告知我们。

     

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    您好、Scott、

    首先,谢谢你们的回答,我甚至没有考虑对称的公差问题!

    我认为、针对我的情况、最好的解决方案是使用 TPS57160等附加器件来为 RM57L843的内核供电。 该器件至少可为我提供60V 输入能力、TPS62170看起来仅支持17V 输入能力。

    再次感谢您的帮助!

    谢谢
    太棒了!