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[参考译文] LM5117:帮助我调节该缓冲器

Guru**** 2391415 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A, CSD19533Q5A, LM5117

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/712210/lm5117-help-me-tune-this-snubber

器件型号:LM5117
主题中讨论的其他器件:CSD18543Q3ACSD19533Q5A

大家好、

我有一个基于 LM5117的100W 48V 至14V 降压转换器。 我将 CSD19533Q5A 用于同步 FET、将 CSD18543Q3A 用于控制 FET。 由于库存原因、我还将 Infineon BSZ099N06LS5ATMA1用于控制 FET。 下面是原理图的快照:

-输入和输出端有更多的电容(在所示区域之外)

电感为33uH

上面的原理图中显示的组件也在这里的布局中:

这正是我所要努力的:

1、一开始没有缓冲器(R2、C6保持断开)、看到预期的振铃

2.为缓冲器使用了一个1500pF 电容器和一个5.6欧姆电阻器。 SYNC FET 的 C_OSS 处于350pF 至500pF 范围内。 我想我会放一些阻尼、稍后再对其进行调优。 但是、

1500pF 电容器根本没有改变振荡的频率--实际上只减少了一点! 当然、振幅减小了一点、振铃更快地结束。 但频率没有显著变化。

4.振荡振铃/振幅的峰值在满负载时上升到100伏、这意味着该缓冲器不会工作

5.尝试增大电容(1800p、2200p),但我看到频率或振幅没有变化

6、最终我将另一个电阻焊接到顶部、得到了可接受的裕度、从而将电阻减半。 下面的一些波形:

我相信,应该可以有一个更好的缓冲器--但如何做到这一点? 如何使用所有寄生效应对该电路进行建模、从而解释观察结果?

谢谢!

S

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    Saurahb、

    我不直接支持 LM5117、但以下是我使用的过程:

    e2e.ti.com/.../7103.RC-Snubber.pdf

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    John、问题是我没有看到电容值对振铃频率的影响;但我看到电阻对振幅和频率的影响。 我不理解如何对该电路建模!

    Saurabh
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    Saurabh、

    我看不到赫尔波形、因为您对其进行了裁剪、但如果振铃仅持续或两个周期、那么您可能已经对该缓冲器进行了优化、这是可以预料的。
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    John、

    在下图中、电容器为1500pF。 减小电阻器会改变尖峰的峰值和频率。 这些是我原始帖子中的图(c)和(d)。 我不明白为什么改变电阻会改变频率。 不过、在这两种情况下、振铃很快就会消失。

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    Saurabh、

    如果您将波形与以下缓冲器文档中的此示例进行比较:

    您可以看到示例上存在持续振铃、并且您的波形振铃在一到一个半周期内衰减。  我认为你不能再改进更多了。

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    大家好、John、我同意两种情况下振铃都会很快消失。 但是、我在努力以解释观察结果的方式对电路进行建模。

    谢谢、
    Saurabh
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    Saurabh、
    我希望我可以帮助您完成缓冲电路设计、但电路建模超出了我的范围。 我相信、在技术上是可行的、但您需要对 FET 和 PCB 进行精确建模。 您最好仅遵循实验结果。 我已将此主题重新分配给直接支持 LM5117的人员。
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    谢谢 John!
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    您好 Tewari、

    对从 Cin 到 FET 的环路电感的影响进行建模可能非常困难、因为了解环路中的寄生电感(Lpara)以及从 VSW 到 GND 的开关节点电容(Cpara)不是您可以非常精确地直接测量的结果。

    正确的做法是、Rsnubber 是影响振铃的组件。 这是因为您必须在由 Lapara 和 Cpara 形成的 LC 电路中添加从 VSW 到 GND 的电阻。

    对于 Rsnubber、通常1欧姆是一个良好的起始值、而 Csnub 的阻值为~100pF 至1nF。

    最好的做法是确保 PCB 布局按照数据表中的建议在 PCB 设计阶段完成。 之后、除了通过将一个电阻器与高侧 FET 栅极串联来降低 VSW 的上升时间外、您还可以使用 Rsnub 和 Csnub。


    希望这对您有所帮助?

    David。