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[参考译文] LM25116:帮助设计应用

Guru**** 663810 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25116, CSD19533Q5A, CSD16322Q5
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/709063/lm25116-help-designing-application

器件型号:LM25116
主题中讨论的其他器件: CSD19533Q5ACSD16322Q5

尊敬的每个人:

对于我在学徒期间必须执行的一个项目、我需要设计一个能够提供最大10A 电流、输出电压为26或15V 的电源。 我之所以选择 LM25116、是因为它似乎已经过调整。
但是、尽管 WEBENCH 工具发布了原理图、但我现在仍然无法使其正常工作。

我在设计中遇到的主要问题是 MOSFET 驱动信号。 它们不是很好的四相位波形、而是阻尼振荡信号(对于 Vgs)、即使在空载的情况下、这些信号也会在输出电压上产生噪声。

有人能帮我解决这个问题吗? 我可以提供原始原理图以及测试时所做的修改版本。 如果需要、我还可以提供一些有用的光绘文件、因为我怀疑路由是问题的一部分。

提前感谢您、

弗洛里安

(PS:请纠正我可能出现的任何说话错误。 我是法国人、因此学习英语对我来说是每天的挑战)

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    请发送您的原理图和布局
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    在这里。 链接是一个包含原理图和布局的 webTransfer、因为我无法找到如何将其封装在文章中...

    https://we.tl/VUT4ug9P11

    虽然我的原理图在工作位有一个可变版本、但我错了、因此修改列表如下:

    将-Cboot1和 Cvcc1更改为2.2µF μ F 陶瓷电容器

    由于 IRF540N 的高栅极电容、-Q3和 Q4 MOSFET 现在为 STP33N10

    -Cramp1已降至820p

    -Q1不再存在、Rfb226已更改为3k Ω(如果未启用、则避免损坏 IC)

    -VCC_AOP 从 D2断开

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    Flo、

    我无法访问此链接-您能否以 pdf 格式发送信息?

    此致、
    Tim
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    我在我的帖子中找到了如何附加文件、因此这里是以.rar 存档文件打包的文件。

    /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/Simulateur_5F00_batterie.rar

    此致、

    弗洛里安

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    您好、Florian、

    请以 zipfile 或 pdf 格式发送。

    此致、
    Tim
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    您好、Tim、

    /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/Simulateur_5F00_files.pdf

    这更好吗? 我不知道你要求什么。

    由于打印设置,路由非常薄。 实际上、它们的厚度介于0.25和1mm 之间。

    此致、

    弗洛里安

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    您好、Florian、

    IRF540和 ST FET 均具有高栅极电压米勒平坦区(从而在 MOSFET 导通时实现低栅极电压过驱)。 请考虑使用较低阈值电压100V MOSFET,例如 CSD19535Q5A (高侧)和 CSD19533Q5A (低侧),占用空间为5 x 6mm。

    此外、您能否为此设计转发已完成的快速入门文件。 可从产品文件夹下载此文件。

    此致、
    Tim
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    您好、Tim、
    感谢您的回答。 我对此感到抱歉,但提出的问题多于回答的问题! 我将尝试使用 csd16322q5、这似乎与您的等效。 优点是我们有库存、因此我今天应该可以试一下。

    对于这些问题、我想知道米勒平坦长度的影响是什么、谁对这种影响感到担忧? 我的同事向我解释、曲线是从不同的内部电容器值中绘制的、如果这些电容器值过大、晶体管将在其线性状态下停留过多的时间、但是、 限制栅极电容器尽快充电的原因是什么?

    为什么您为高侧和低侧选择不同的 MOSFET? 是否无法找到可用于两侧的基准?


    感谢您让我发现此文件! 我今天将尝试填写并发送它。

    此致、

    弗洛里安

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    您好、Florian、

    在此主题上执行后续操作。 您是否能够解决较低栅极阈值 MOSFET 的问题?

    米勒平坦区实际上是在开关期间漏极电压转换的栅极电压、而 MOSFET 导通时间分流器期间的稳态栅极驱动电压应充分高于此电平、以增强 FET 并实现低 Rdson。 如果栅极驱动电平太接近米勒平坦电压、则 RDSon 会更高(或 FET 甚至可能无法导通)。

    在降压稳压器的高侧和低侧 MOSFET 选择方面、通常选择低侧来降低传导损耗、而选择高侧 FET 来降低传导损耗和开关损耗。 TI 有一个用于 FET 选择的工具、如下所示: www.ti.com/.../FETPWRCALC


    此致、
    Tim