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[参考译文] TPS54341:TPS54302/TPS54308最大占空比

Guru**** 2393725 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54302, TPS54308, TPS54341, TPS54240, TPS54260

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/711768/tps54341-tps54302-tps54308-maximum-duty-cycle

器件型号:TPS54341
主题中讨论的其他器件:TPS54302TPS54308TPS54240TPS54260

尊敬的团队:

我是否可以知道最大占空比的 TPS54341/TPS54302/TPS54308是什么? 我在数据表中看到、它们可以在100%占空比附近运行、但没有详细说明。 那么、您能否告诉我这三种器件是否适合以下要求? 如果是、我们可以参考什么规格? 为什么? 谢谢你。

输入电压:12.3V-17V

输出电压:12V

输出电流:3A

此致、

Polly Chung

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    数据表提到、这些器件只能在 BOOT 至 SW 引脚的电压大于2.1V 时以100%占空比运行。 应用手册《使用 TPS54240和 TPS54260改善低压降运行的方法》(www.ti.com/.../technicaldocuments)对此进行了更深入的解释。

    但是、鉴于器件和参数的小尺寸、器件的温度将非常高。 LM25805可能是更好的选择、因为 FET 是外部而不是内部的。
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    您好,Eric:  

    由于此功率级应用的电源来自电池、因此电池工作电压为16.8-12.3V。
    需要一个辅助电源= 3A@12V 稳定输出电源、
    根据上述推荐器件、似乎必须通过外部控制来实现占空比= 100%条件、这将使控制电路更加复杂。
    或者 TI 是否可以推荐其他升压/降压器件解决方案? (内部高侧和低侧 MOSFET)
    (空间问题、需要使用内部高侧和低侧 MOSFET)

    正在等待为 TI 团队提供更好的解决方案。

    陈松森

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    您好 Janson、

    对于降压/升压解决方案、您可以参考以下 TI 设计:

    http://www.ti.com/lit/ug/tidub49/tidub49.pdf

    我意识到您的设备的输出功率为36W、而不是文档中指定的10-15W。 但是、希望这能引导您朝着正确的方向发展。