[参考译文] BQ2970：为超低功耗可穿戴应用实现低 OCC 和 OCD 阈值

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/710650/bq2970-achieving-low-occ-and-ocd-thresholds-for-an-ultra-low-power-wearable-application

器件型号：BQ2970
主题中讨论的其他器件：CSD83325L、 CSD85302L

您好！

我们正在开发可穿戴设备的应用、该设备利用容量极小的锂聚合物电池(30mAh)、并在设备 PCB 上完成电池保护电路。对于此保护电路、我们希望使用与双 N 通道共漏极功率 MOSFET 耦合的 bq297xx 保护 IC、例如 CSD85302L 或 CSD83325L。

对于这样一个小型锂聚合物电池、我们需要我们的应用的 OCD 截止阈值大约为100毫安、而 OCC 截止阈值远小于此值(理想情况下小于50毫安)。我们很难找到 bq297xx 配置+ MOSFET 源极到源极导通电阻的现成组合、以实现这种行为。

第一个问题：如果我们能够获得 TI 工厂定制 bq297xx 型号的资格、那么 IC 硬件可以支持的最小 OCD 和 OCC 阈值电压是多少？

第二个问题：在 bq297xx 的 VSS 和 PACK_NEGATIVE 之间添加额外的串联电阻(超出 MOSFET 的源极至源极导通电阻)是否存在任何问题(除能源浪费之外)？例如、在下面的电路原理图片段中、您将看到 bq29700 (-0.100V 的 OCC 和0.100的 OCD)和1.0欧姆电阻器的布置、似乎在大约100毫安的电流下产生"调优"的 OCC 和 OCD 阈值。

注意：我们已从 TI 的"智能手表电池管理解决方案参考设计"中的 VSS 和 PACK_NEGATIVE 之间添加此附加串联电阻、您可以在以下位置找到该设计：www.ti.com/.../TIDA-00712