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[参考译文] CSD23285F5：低功耗 MOSFET -纯电子产品问题

admin
Guru**** 2651475 points

Other Parts Discussed in Thread: CSD23285F5, CSD75208W1015, CSD75207W15

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/709938/csd23285f5-low-power-mosfet---question-of-pure-electronic

器件型号：CSD23285F5
主题中讨论的其他器件： CSD75208W1015、 CSD75207W15

大家好、

我需要一个超低功耗 P 沟道 MOSFET 来校正低电压振荡、因此我使用了这个

CSD23285F5  

但体二极管会破坏电路、因为电流会流回源极、流过体二极管... 是否有任何类似的 MOSFET 没有体二极管？ 还是对正 DS 电压的抵抗程度更高？ 我可以 ampères 微 μ A 的电流损耗。 我的电路在 VDS 上施加最大1V 的电压、电压不是很高、我希望解决方案能够存在吗？

感谢你的帮助

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    TI__Guru**** 2651475 points
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    Nico、

    感谢您发帖。
    作为器件结构的一部分、所有功率 MOSFET 都附带一个体二极管、并且所有 MOSFET 都具有相似的特性、因此任何单个 MOSFET 都不会为您提供帮助。
    但是，我们有一些小型双路共源极器件，最小的器件是 CSD75208W1015 (1x1.5mm)，它有二极管背对背，这会阻止电流流流过体二极管。您可以将栅极连接在一起，以便同时打开和关闭器件。 如果需要电阻较低的器件、您可以尝试使用 CSD75207W15 (1.5x1.5)

    我 HPE 这对您有所帮助
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    TI__Guru**** 2651475 points
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    Chris、您好、感谢您的帮助、

    "这种二极管会阻止电流流流过体二极管、您可以将栅极连接在一起以同时打开和关闭器件、这意味着什么？"

    我打开 FET 以让电流过并在电磁传感器电压的正半波(峰值500mV)期间为电容器充电、问题是在负半波期间、我在源极引脚上具有负电压、 漏极上的正极电流会流回传感器、从而使连接到漏极的电容放电

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    TI__Guru**** 2651475 points
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    Nico、

    通过查看首页(下图)上的 CSD75208W1015的原理图、您可以看到体二极管阴极连接到源。 如果您没有连接到源极、只需将栅极连接在一起以允许电流从漏极流向漏极、则电流不可能流过体二极管、因为一个体二极管会在两个方向上阻止另一个体二极管。

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    TI__Guru**** 2651475 points
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    由于某种原因、图像在上一帖子中未显示

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    TI__Guru**** 2651475 points
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    mmh、但如何在不连接该双 FET 的源极的情况下驱动 FET (电压栅极-源极负极)？

    这就是我如何使用 P 沟道 MOSFET：

    当 VG2的波形为正时、我在 VDrive 上施加负电压来为电容充电、但在负波期间、我的体二极管会损耗 DU。如果我不连接双 FET 的源极、我将无法向右驱动 FET？

    此致

    Nico

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    TI__Guru**** 2651475 points
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    e2e.ti.com/.../Typical-Back-to-Back-Load-Switch-Schematic.pptxNicolas、

    尽管您未连接到 FET 的源极、但它仍将具有电压、基本上是漏极上的电压减去体二极管压降、 因此、如果您将栅极拉至接地、这意味着栅极相对于源极将为负、因此导通。

    我快速绘制了随附的原理图，供您参考常用的原理图，同时 TI 还提供了应用手册()  ，其中也提供了一些详细信息。

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    TI__Guru**** 2651475 points
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    感谢您的回答、您的时间和帮助

    最好

    Nico