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[参考译文] LM5085:负载调节不良、电流限制过早

Guru**** 2513185 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5085, LM5145

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1182217/lm5085-poor-load-regulation-and-premature-current-limiting

器件型号:LM5085
主题中讨论的其他器件: LM5145

大家好、

我一直在使用 LM5085进行 SMPS 设计。 我们在反馈环路中有一个电位器、因此 Vout 在32.4和46V 之间可变、Iout 应高达7.5A

1) 1)负载调节不是很好。 在低输出电压下会更好、但在高输出电压下会非常糟糕。 当负载为3.2A 时、VOUT 降至42V (应为46V)、并且从那里快速下降。 这将驱动一个巨大的 LED 阵列、该阵列几乎是固定负载、因此我们不需要出色的负载调节、但在更高的电压下、它将驱动更高的电流。

2) 2)更大的问题是、在大约4A 时、Vout 显著下降、而在4.2A 时、Vout 下降到0V。这显然是一个大问题。 我们可能不需要驱动7.5A 电流、但我已经将其设计为具有较小波动的空间、因此我希望它能够正常运行。 有人可以帮我解决这个问题吗?

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    因此我增加了 R4 (Radj)的值、这似乎有助于解决电流限制问题、但负载调节仍然非常差。 输出电压应为44V、但在3.5A 负载下、输出电压为41V。在4A 电流下、输出电压为38V。在4.5A 电流下、输出电压降至30V。在5A 电流下、输出电压为28V

    稳压器不会将 FB 保持在1.250V。即使在相对较小的0.5A 负载下、它也处于1.205V。当负载达到2A 时、FB 为1.177V、乘以3A、FB 为1.095。

    我探测栅极信号、看起来占空比在整个负载范围内约为90%(Vout 设置为最大值)。 该稳压器应该能够实现100%占空比、但看起来不是为了将 FB 恢复到1.25V。Rsens、Q1和 L1上的电阻损耗不会考虑 Vout 的明显下降(此外、它们是线性的)。

    我的直觉告诉我、问题是 C3、C6和 R10、但我不确定该怎么办。

    谢谢!

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    我想 我用来计算 C3、C6和 R10值的数字可能会对您有所帮助。

    Va = Vout-(0.65*(1-Vout/Vin)

    VOUT = 46V、Vin = 48V

    VA=45.97V

    fsw = 712kHz (我在大约694kHz 的频率下测量了该频率、因此它不远)

    TON = Vout/(Vin*Fsw)= 1.34us

    R10*C3 =(Vin-VA)*ton/delv

    DEV = 0.025

    R10*C3 =109e-6

    R10 = 22KO

    C3 = 4.96nF、四舍五入到4.8nF

    我要注意的一点是、电压纹波非常小。 我不确定这是否相关。 我还附上了栅极信号的屏幕截图。

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    您好、Alexander、

    我建议尽量减少反馈电阻器的数量、因为 FB 是一个对噪声敏感的节点。 因此、FB 走线应尽可能短、反馈电阻器应位于 IC 上。

    请注意、对于高输入电压(48V)应用、这似乎是很高的开关频率。 我建议在此频率下使用陶瓷输入和输出电容器、而不是电解电容器。 一般而言、250-350kHz 是尺寸和效率的更好折衷。 您可以使用快速入门计算器(可从产品文件夹下载)来帮助选择组件。

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    遗憾的是、我们需要一个可变电源、这是最小电阻器数量、可为我们提供所需的范围和灵敏度。 我将使用机械电位器进行原型设计、但最终设计将使用数字电位器、该电位器远小于机械电位器。  输出平面可节省电路板的右侧和底部(您可以在顶层看到它)。

    降低开关频率需要一个非常大的电阻器。 我可以放置一个1 MO 电阻器来代替430k、这会将频率降低到300kHz。

    我探测 FB、虽然它不小、但噪声似乎不是负载的函数。 我附加了一个屏幕截图。

    我将尝试降低开关频率。

    我确实做了一个有趣的观察。 我将负载设置为5A、并旋转电位器以获得最低输出电压。 在该负载下、随着我旋转电位器、Vout 增大、直到电位计突然下降到接近极限值。 这听起来不像是噪音问题、但我不知道它是什么样子的。

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    您好、Tim、

    改变 Rt 以降低开关频率带来的奇迹! 我现在将完成验证、但我得到的电流高达5A、而 Vout 没有任何下降。 我想我需要使 Radj 更大、因为我仍然没有达到7.5A、但这是一个简单的变化。

    谢谢!

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    这可能证实了这是一个噪声问题-将反馈组件放置在非常靠近 FB 引脚的位置非常重要。 此外、PCB 的第2层(直接位于 IC 和功率级下方)应是实心 GND 平面。

    由于 Fsw 较低、您可能需要更高的电感来保持30-40%的纹波电流、从而实现最佳损耗。 使用 quickstart 文件推导组件值。

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    底部平面是实心接地层。 我想我们可以处理更高的电流纹波、不过我将介绍其他电感器。 今天早些时候、我使用4.7KO 电阻器关闭了 Rt。 这将电流限值提高到5.2A。我使用6.8KO 电阻器将其进行切换、希望能够进一步提高电流限值。 令我惊讶的是、电流限制没有变化。 它仍然在5.2A 下关闭。您对我如何提高电流限制有什么了解吗? 我需要减小 Rsense 吗? 考虑到我并不真正关心电流限制、我是否可以用0 O 跳线替换 Rsense?

    谢谢!

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    您能否探测分流电阻器上和 IC 引脚(VIN 和 ISEN)上的电压、以查看电流限制发生在何处? 与反馈电路类似、VIN 电容和电流限制设定点组件应更靠近 IC。

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    您好、Tim、

    我现在要这么做。 VIN 电容器(C7)和 VCC 电容器(C2)非常靠近 IC。 Rsense 稍微远一点、但不幸的是、它是必需的。

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    负载为4.8A 时、Rsense (R5)两端的电压为49mV。 Vin 和 Isen 之间的电压为50.2mV。 这似乎是问题所在。 正如我说过的、我并不真的关心电流限制。 我可以将 R5加倍、使其变为5 Mo。

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    我将 Rsen 加倍、使其变为5 Mo、但电流仍在大约5A 的电流下切断。Vin 和 Isen 之间的电压现在为25.2mV (意外、意外)、因此不应切断。

    此外、我注意到、如果我单步从0A 变为4.5A (或更高)、它将会被切断。 这是一个巨大的问题、因为我们将调制负载。 该浪涌电流是否流入电感器?

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    我在感应电阻器上设置探针并执行差分操作。 有很多瞬态、但随着我改变负载、波形没有显著变化。 我已附加屏幕截图。

    我还提出了另一个非常特殊的看法。 我能够获得高达7.5A 的负载、但仅当我探测 FET 的栅极时。 同样、我能够从0A 跳至7.5A、但仅当我探测 FET 的栅极时。 您对此有何看法?

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    电流限制和 RT 小信号分量应直接位于 IC 引脚上、无需额外的间距。 根据您的波形、有开关噪声耦合到电流限制电路中。 您可以直接在引脚上尝试使用电容来滤除该电容(如果需要、也可以使用分流器与 Isen 之间的串联电阻)。

    另请注意、SW 节点铜应相对较小、因为这是辐射表面。 此外、栅极驱动走线应更宽、20-30密耳。 请查看 LM5145数据表中的布局指南、了解有关降压稳压器布局的更多详细信息。

    --

    Tim

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    您好、Tim、

    Rt 和 Radj 电阻器靠近 IC。 ADJ 引脚上有一个1nF 电容。 我可以轻松地将电容器与 Rt 并联、比如100nF? SW 节点铜缆相当大。 当我重新输入电路板时、我将实施这些更改。 栅极驱动走线仅为8mil、因此我要使其更大。 我认为这就是我使用示波器进行探测时该设计工作的原因。

    我将从 Rt 处的一个电容器开始、然后返回给您。

    谢谢!

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    因此、我将一个100nF 电容器与 Rt 并联、我能够获得高达7.2A 的电流、并且能够毫无问题地在0A 至6.5A 的电流下加载它。  我给了我充足的回旋空间,因为 这一项目有很多未知因素(信不信,它是疫苗生产的设备), 但是、根据我的计算(再次说明、很多未知因素)、我们只需要高达41.6V 和6.3A 的电压。我将使用我的现有原型对其进行验证。 感谢您的帮助!

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    特别的是、现在它似乎只在 Vout max 处工作 在任何低于该电压的电压下、它甚至无法在100mA 的小负载下进行调节、除非我正在探测栅极。 似乎认为窄栅极迹线是主要问题。 我几乎想知道我是否应该将其退回到底层。 你怎么看?

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    此外、由于我喜欢了解相关内容(您似乎知道相关内容)、我想明天向我的团队解释一下、为什么栅极迹线会因更宽而受益、以及探测栅极迹线有什么作用?

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    您好、Alexander、

    窄栅极走线会增加栅极环路寄生电感-因此建议使用更宽的走线、尤其是栅极驱动器在开关转换期间可能具有高瞬时电流。

    --

    Tim

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    小信号组件离 IC 太远-它们都应该直接位于适用的 IC 引脚上。 对于 RT 引脚、100nF 可能太大-请尝试100pF、或者更好地将电阻器重新放置在更靠近 IC 的位置。

    发送一个完整的快速启动文件以供审核。

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    您好、Tim、

    有些东西很糟糕、我花了两天时间去寻找结果是冷焊料的东西。  我在 RT 和 GND 之间添加了一个220pF 的电容器(我没有100pF 的电容器)、它没有产生任何影响。 我还让我们的一名技术人员在 FET 的栅极和引脚6之间焊接一根导线。 它不是理想的、但它应降低电感。 这也没有什么不同。 我还用8.2nF 电容替换了 C3、用18.2k Ω 电阻替换了 R10。 这实际上有所帮助。 那么、现在的情况是:

    1) 1)负载调节并不出色。 Vout 随负载上升。 在中负载时、Vout 可能比空载时高10%。 我猜这与 FB 处的噪声有关。 我不认为这会对我们的应用造成问题、但我使用我们的巨型 LED 阵列运行它、它找不到稳定的工作点。

    2) 2)电流限制是特殊的。 如果我用示波器探头探测栅极、则它工作正常。 如果我不这样做、那比原来好、但也不比我在电路板上操作之前好很多。

    我对 PCB 布局的下一个修订版进行了一些更改:

    1) 1)更宽的栅极布线

    2) 2)为 RT 和 ADJ 的电容器接地添加了空间。

    3) 3)添加了电流感应电阻器的 Isen 和低侧之间的串联封装。

    4) 4)从数字电路下方移除了电源平面、而是使用布线将其连接起来。

    5) 5)将输入和输出电容器更改为陶瓷电容器。

    6) 6)增加了电感器的值

    一些问题:

    1) 1)我将栅极布线弹出到底层。 我知道过孔会增大电感。 这会是个问题吗?

    2) 2)您认为 Vin 和 Rt、Radj 和 Cadj 之间的扼流圈是否有用?

    3) 3) 3)您认为 Vout 和 RFB 之间的扼流圈是否有用?

    4) 4) FB 处的小型旁路电容器是否处于工作状态? 那里仍然有很多高频噪声。

    5) 5)为什么栅极上的示波器探针有助于限制电流? 电气上、它有什么作用?

    6) 6)为什么您怀疑电压调节效果不佳?

    谢谢、祝您假期愉快!

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    您好、Alexander、

    以下是您的问题的一些答案:

    1) 1)我将栅极布线弹出到底层。 我知道过孔会增大电感。 这会是个问题吗? 没问题、只需保持栅源线较短且紧密。

    2) 2)您认为 Vin 和 Rt、Radj 和 Cadj 之间的扼流圈是否有用? 否 只需使这些非常靠近 IC。 也请参阅 EVM 布局。

    3) 3) 3)您认为 Vout 和 RFB 之间的扼流圈是否有用? 不需要、这需要是一个干净的电阻分压器。 将压实线放置在 FB 引脚上、以形成非常短的 FB 走线。

    4) 4) FB 处的小型旁路电容器是否处于工作状态? 那里仍然有很多高频噪声。 使用陶瓷电容器清理输出、这也应改善。

    5) 5)为什么栅极上的示波器探针有助于限制电流? 电气上、它有什么作用? 探测栅极不应影响任何东西(探头电容远低于栅极电容)。 我怀疑探头会影响附近耦合到您的电路中的辐射场。

    6) 6)为什么您怀疑电压调节效果不佳? 检查纹波振幅和噪声。 空载时、VOUT 通常高于输出设定点、因为 COT 架构在纹波电压的谷值处进行调节(当 FB 衰减至基准电压时进行开关)。

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    您好、Tim、

    我重新制造原型、进行此处所述的更改。 我真的非常小心。 所有部件都尽可能靠近 IC、我甚至创建了一个单独的模拟接地层、但我仍然有确切的问题...直到我在 FB 添加了一些电容。

    由于 FB 处没有电容、因此我只能获得4.5A 电流、而不会出现问题。 如果我在 FB 处放置一个100nF 电容、我可以在它停止工作之前达到6.5A 电流。 在200nF (两个100nF 并联电容器)下、我达到8.5A、而在300nF 下、我打破了10A

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    Alex、感谢您的更新。