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[参考译文] LM5116仿真在150µs μ s 左右停止

Guru**** 2756835 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1182151/lm5116-simulation-stops-around-150-s

主题中讨论的其他器件:LM5116

您好!

我尝试在 PSpice for TI 中模拟-48V 稳压器的原理图。

但是、它会停留在大约150µS μ s 的位置、并显示错误消息:

错误(ORPSIM-15139):在瞬态分析中、时间步长= 322.6E-21太小、时间= 152.4E-06。 允许的最小步长= 1.000E-18。

我甚至尝试在 LTSpice 和 Altium 上对其进行仿真、但结果没有什么不同。

是否有办法解决此问题?

 e2e.ti.com/.../lm5116.dsn

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    您好、Christoph、

    在给定浮动 GND 的情况下、我不确定是否为反相降压/升压(IBB)设计设置了仿真模型。

    此外、在原理图中、引导电容可以为100nF (通常、VCC 电容应为引导电容的10倍、以防止其启动时由于引导电容过高而电压下降)。 此外、您应该将一些输入电容器从 Vin 连接到-Vout (就在 FET 两端、因为这是具有高 di/dt 电流的开关环路)。

    此致、

    Tim

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    尊敬的 Timothy:

    我写信给你是因为 Christoph 现在很忙。
    我们还在具有5V 输出的同相配置中测试了该模型、但仿真在几微秒后仍然卡住(WebBench 的确切电路)。

    您是否可以使用给定的仿真模型进行任何工作仿真?
    这样、我们就可以看到模型的极限在哪里以及我们在做什么错了。

    此致、
    Bernhard

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    您好、Bernhard、

    此时、模型专家处于关闭状态。 我希望您可以等到下周。 同时、请发送仿真的 zipfile。

    此致、

    Tim

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    您好、Timothy、

    很抱歉耽误你的回答。

    在这里我的仿真:

    e2e.ti.com/.../3426.LM5116.zip

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    你(们)好、Bernhard

    我今天将尝试您的仿真文件、并告诉您是否有任何过程。  

    -李家祥

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    你(们)好、Bernhard  

    我 认为 CSD19505模型现在正在导致问题。 我将两个 MOSFET 更改为 POWER_NMOS_P、添加了1 Ω 栅极电阻器、将 C7更改为100ns、将配置更改为同相降压并启用了自动收敛。 那么、它现在可以工作了。  

     e2e.ti.com/.../LM5116.opje2e.ti.com/.../3056.lm5116.dsn

    -李家祥