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[参考译文] CSD17559Q5：需要 CSD17559Q5字符数据

admin
Guru**** 657500 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17559Q5
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/705395/csd17559q5-csd17559q5-charactrization-data-required

器件型号：CSD17559Q5

你(们)好  

我的一位客户在 其产品之一中使用 MOSFET CSD17559Q5。 在器件的数据表中、在 Vgs 与 ID 以及 Vgs 与 RDS on 的特性图中、低于2V 时 MOSFET 的特性不明确。 因此、请您在下方分享 Vgs 低于2V 至0V 时的器件详细特性图。

 

此致

Dilip

 

 

  • 0
    TI__Guru**** 657500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Dilip、

    感谢您发帖。
    本质上、我们的特性数据仅在电阻呈指数增长时下降至2V、因此低于2V 时、该电阻将增加至无穷大、因此不需要任何数据、此外、无法保证该区域的任何性能水平、 即使我们有小于2Vgs 的数据。 这是因为所有 MOSFET 都具有工艺变化、并随阈值温度的变化而变化、当客户想要查看该区域时、极小的漂移(每个 FET 都正常)将对电阻产生巨大影响、因此无法预测性能。