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[参考译文] LM5101C:LM5101C 在 FET 的 D 和 S 之间短路。

Guru**** 668880 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5101C, SN6505B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/672929/lm5101c-lm5101c-was-shorted-between-d-and-s-of-fet

器件型号:LM5101C
主题中讨论的其他器件: SN6505B

尊敬的支持成员:

我的客户使用了 LM5101C。
不使用低侧驱动器、而只使用高侧驱动器。

我已连接有关电路的文件。
此电路图有问题吗?


当电源打开时、
IC 产生烟雾、FET 的 D 和 S 之间存在短路。

您可以检查附加的文件吗?


最恰当的考虑。
Bob Lee。

e2e.ti.com/.../LM5101C_5F00_Question_5F00_180319.pdf

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    Bob、您好!
    我是高功率驱动器组的应用工程师、将致力于解决您的问题。 原理图一般看起来不错、但我对细节有一些疑问。
    您能否提供 D2的二极管器件型号? 这应该是一个快速恢复二极管或肖特基二极管、以便在 Q1以连续电流导通方式导通时更大限度地减小反向电流。
    我看到波形指定为0至10kHz。 您能否提供有关此范围的更多详细信息? 电路是否需要在 Q1导通或关断时以0Hz 或直流电运行? Q1进行开关时、除直流电之外的最低工作频率是多少?Q1导通时间最长是多少?
    对于直流和低频运行、由于从 HB 到 HS 的静态电流、因此需要检查自举电容器(C2)的值。 这将导致 HB 随着时间的推移而下降。
    如果需要在直流状态下打开 Q1、则需要为 HB 至 HS 偏置提供浮动偏置电源。

    此致、
    Richard Herring
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    尊敬的 Bob:

    由于我们没有收到您的回复、因此我们必须假设此问题已得到解决。 如果没有、请告知我们、我们将与您一起解决该问题。
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    尊敬的 Don Dapkus:

    我很抱歉。 我很晚才确认。
    我确认了 TE 详细信息。


    (__LW_AT__反馈内容)
    ・D2的二极管器件型号为 D3FJ10。

    ・波固定为100kHz。
    占空比也在0%至90%之间变化。
    无需直流操作。 接通占空比90%是最大值。

    (__LW_AT__我的客户的想法)
    正如客户所想、
    Ω 和 GND 之间连接了100k Ω、以防止 IC 损坏。

    问题1.
    此测量是否有任何问题?

    (__LW_AT__不同的问题)
    作为另一个问题、
    Ω 连接100k Ω 电阻器、
    当它在关闭一次后几百毫秒打开时、
    由于它不是 HO 输出、Q1将关闭。


    问题2.
    这种现象是否会影响自举电容器的充电/放电?
    是否有其他原因?


    最恰当的考虑。
    Bob Lee。

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    Bob、您好!

    感谢您确认降压转换器设计中 LM5101C 的此问题状态。 由于肖特基二极管具有快速恢复功能、因此适用于 D2的 D3FJ10对于该应用应该是可以的。

    从 HS 到接地的100欧姆问题。

     从 HS 到接地的100 Ω 电阻器将确保 HS 节点具有接地电流路径、以便为自举电容器充电。 这将允许在初始 上电时以及在电感器电流不连续的情况下为自举电容器充电。  

    对于"当它在关闭一次之后打开几百毫秒时、由于它不是 HO Q1的输出、它将关闭"的问题。

    您能澄清一下这种情况。 加电和断电序列是否为几百毫秒? Fsw 被设定为100kHz、所以周期为10us。 您能否确认在此时间序列期间输出端是否存在电压? 如果输出端有电压、这也会阻止 HS 节点变为足够低的电平、以便为自举电容器充电。

    此致、

    Richard Herring

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    尊敬的 Richard Herring:

    非常感谢您的回复。

    当我想向您发送波形时、
    您会告诉我私人电子邮件地址吗?

    最恰当的考虑。
    Bob Lee。

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    Bob、您好!
    您能"朋友"我吗、然后您可以在 PM 界面中发送文件。
    此致
    Richard Herring
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    尊敬的 Richard Herring:

    非常感谢您的回复。

    我不知道如何执行 PM 接口。
    我在一段时间前申请了友谊请求、我能否发送电子邮件?

    最恰当的考虑。
    Bob Lee。

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    尊敬的 Richard Herring

    我附加了有关波形的文件。

    您可以检查附加的文件吗?


    最恰当的考虑。
    Bob Lee。

    e2e.ti.com/.../LM5101C_5F00_Question_5F00_180416.pdf

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    尊敬的 Richard Herring:

    您能否教授进度情况?

    最恰当的考虑。
    Bob Lee。

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    Bob、您好!

    很遗憾、能够发送消息的 PM 接口不能很好地为您服务。 在查看波形时、在开关停止后、Vout 需要相当长的时间才能下降。 由于当转换器未切换时 HS 将等于 Vout、因此 C2引导电容器的充电速度将非常慢、无法完全达到 VDD 电平。

    很难读取 C2的确切值、但当 HI 变为高电平时、HB-HS 似乎低于 UVLO。

    此应用是否需要 HO 输出的全直流操作? 在这种情况下、C2上的电压无法通过自举二极管充电方法维持。

    此致

    Richard Herring

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    尊敬的 Richard Herring:

    非常感谢您的回复。

    此应用需要 HO 输出的全直流操作。
    自举二极管充电方法中是否没有对策、对吧?

    最恰当的考虑。
    Bob Lee。

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    Bob、您好!

    直流应用中的高侧浮动 MOSFET 驱动器有一个解决方案。 由于运行需要直流电、因此需要为 HB-HS 高侧偏置提供专用的浮动偏置电源。 TI 设计采用了适用于隔离式偏置电源的 SN6505B 变压器驱动器。

    TI 设计的链接为:

    SN6505B 变压器驱动器的链接为:

    如果您对支持直流运行的浮动偏置的拟议解决方案有任何疑问、请告诉我。

    此致、

    Richard Herring

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    尊敬的 Richard Herring

    非常感谢您的回复。


    使用 SN6505B 的设计太难使用。
    因为成本和空间会与目前的情况发生变化。

    对于电容器、二极管、电阻分立式器件、是否没有对策?


    最恰当的考虑。
    Bob Lee。

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    尊敬的 Bob:

    为了在直流电下运行高侧驱动器、您需要某种隔离式电源。

    看一下您的原理图、我认为直流运行并不是真正需要的、是吗?

    您是否解决了此问题?