您好!
我使用了 CSD88599Q5DC MOSFET 数据表的图1、4、5、6、19和第6.7.2节来估算功率损耗、但这个数字远远大于我根据 TI 应用报告 SLVA504进行的计算。
Knowns:VIN = 24V、DC = 50%、Fsw = 20kHz、Ron = 1.7m Ω、I = 0.614安培、Igate_RISE = 0.820A、Igate_FALL = 0.880A、Q_TOTAL = 43nC、Rnorm_150_degC = 1.9
使用图(1、4、5、6、19和第6.7.2节):图1 =.255W、图4 = 1、图5 =.964、图6 = 1、功率=图1 x 图4 x 图5 x 图6 = 0.246W
使用 SLVA504公式:T_RISE = Q_TOTAL / Igate_RISE = 52.439nS、T_FALL = Q_TOTAL / Igate_FALL = 48.864nS、PSW_RISE = 1/2 x VIN x I x T_RISE x FSW = 7.727mW、PSW_FALL = 1/2 x VIN x I x T_FALL x FSW = 7.201mW、 PSW = PSW_RISE + PSW_FALL = 15mW、PRD = I^2 x RDS x 标称值= 1.218mW、P_TOTAL = PSW + PRD = 15mW + 1.218mW = 16mW。
16mW 与.246W 有很大不同、因此我想知道我在假设、计算或两者之间的比较中做了哪些错误?
谢谢、
Nick