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[参考译文] CSD88599Q5DC:功率损耗曲线(图1)与我使用 TI 应用手册 SLVA504 (.246W 与.016W)进行的计算大相径庭

Guru**** 2380870 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD88599Q5DC
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/687183/csd88599q5dc-power-loss-curve-figure-1-drastically-different-from-my-calculation-using-ti-app-note-slva504-246w-vs-016w

器件型号:CSD88599Q5DC

您好!  

我使用了 CSD88599Q5DC MOSFET 数据表的图1、4、5、6、19和第6.7.2节来估算功率损耗、但这个数字远远大于我根据 TI 应用报告 SLVA504进行的计算。  

Knowns:VIN = 24V、DC = 50%、Fsw = 20kHz、Ron = 1.7m Ω、I = 0.614安培、Igate_RISE = 0.820A、Igate_FALL = 0.880A、Q_TOTAL = 43nC、Rnorm_150_degC = 1.9

使用图(1、4、5、6、19和第6.7.2节):图1 =.255W、图4 = 1、图5 =.964、图6 = 1、功率=图1 x 图4 x 图5 x 图6 = 0.246W

使用 SLVA504公式:T_RISE = Q_TOTAL / Igate_RISE = 52.439nS、T_FALL = Q_TOTAL / Igate_FALL = 48.864nS、PSW_RISE = 1/2 x VIN x I x T_RISE x FSW = 7.727mW、PSW_FALL = 1/2 x VIN x I x T_FALL x FSW = 7.201mW、 PSW = PSW_RISE + PSW_FALL = 15mW、PRD = I^2 x RDS x 标称值= 1.218mW、P_TOTAL = PSW + PRD = 15mW + 1.218mW = 16mW。

16mW 与.246W 有很大不同、因此我想知道我在假设、计算或两者之间的比较中做了哪些错误?

谢谢、

Nick

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    您好、Nick、

    感谢您发帖。 我们目前正在对其进行研究、并将很快返回给您。

    Beth 此致、

    Ankan

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    您好、Nick、

    数据表图1中提到的功率损耗包括测试时使用的电感器的器件损耗和磁芯损耗。 slva504中使用的公式会导致0A 电流的0W 损耗。 不过、您可以看到、电流接近零时的功率损耗约为200mW。 如果您想消除器件的功率损耗、slva504可提供更准确的结果。

    数据表中使用的公式将为高电流应用带来近乎精确的结果。 这是因为大多数损耗是由器件而不是电感器的磁芯损耗造成的。

    还应注意的是、在使用 slva504中提到的公式的同时、应计算 HS 和 LS 器件的开关损耗。

    希望这能有所帮助。 感谢您发帖。

    Ankan