[参考译文] UCC27211A-Q1：TIDUCB6

admin

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器件型号：UCC27211A-Q1

您好！

我对本设计指南有一些疑问：

1、如何在图6中选择 R2和 R20。

2.如果我不使用软开关、能否从公式8和9中删除0.5？

但它们不符合现有的设计 TIDUCB6、如果我能帮助推导出该设计中除导通损耗和开关损耗以外的损耗的公式、那将会有所帮助。

谢谢你。

0 admin 2 年多前

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尊敬的 Samant：

感谢您对我们的文档提供反馈。

我们的专家现已不在办公室、他将于星期二回到您的办公室。周一是美国假期。

此致、
Edthan Galloway

0 admin 2 年多前

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尊敬的 Samant：

感谢您的参与、很高兴您发现功率级参考设计文章非常有用！

回答您的问题：

R2和 R20是分离式外部栅极驱动电阻器、用于优化开关频率和 EMI 性能。 TI 提供的技术手册介绍了如何从0欧姆电阻器开始、并使用振铃频率、源极电感和输入电导计算新的外部栅极驱动器值。有关选择外部栅极驱动器值的技术手册、请访问：链接。

2.是的、0.5缩放因子占器件软开关时间的一半。由于您不是软开关、因此您应该能够从等式8和9中删除0.5比例因子。

3、为了澄清问题、您是否在 MOSFET 导通和开关损耗之外需要考虑哪些损耗、以及如何计算这些损耗？我们能否假设系统与48VDC 逆变器功率级参考设计类似？

最棒的

Alex Weaver

0 admin 2 年多前

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尊敬的 Alex：

感谢您的回复。是的、系统类似于48VDC 逆变器功率级参考设计。

谢谢你

0 admin 2 年多前

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Samant、您好、感谢您的澄清！

所有图像、图和方程式均取自 MOSFET 损耗文章。上图是基本开关电路(如图4所示)、其中 Q1是高侧 MOSFET、Q2是低侧整流器 MOSFET。在 Q1中、我们将关注导通损耗、开关损耗和栅极损耗(如图8所示)。 MOSFET 中栅极损耗的公式如公式5所示。

除了 MOSFET Q1上的栅极损耗、栅极驱动器的内部电阻还会导致栅极驱动损耗。用于计算总栅极驱动损耗的公式如公式6所示。这个相同的等式可被用来计算 Q2中的栅极损耗。

图11显示了我们需要计算 Q2的所有损耗。除导通损耗和栅极损耗外、Q2特有的功率损耗将是体二极管损耗。公式9a 至9e 显示了如何找到体二极管电流、公式10允许您使用计算得出的电流来找到体二极管功率损耗。

希望这能解答您的问题！

最棒的

Alex Weaver

电源管理（参考译文帖）(Read Only)