[参考译文] BQ24296M：使用后、什么原因会导致 SYS-GND 电阻降低至~1Ω Ω(关断时)？

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/720089/bq24296m-what-could-cause-the-sys-gnd-resistance-to-decrease-to-1-while-powered-off-after-use

器件型号：BQ24296M
主题中讨论的其他器件： TPD1S514、 BQ24296

大家好、

我将在充电电路设计中使用 BQ24296M IC。我注意到、SYS 输出和 GND 之间的电阻在几十 kΩ 的范围内开始、并且在电路板通电时缓慢降至~0.8Ω Ω(未连接电池、VBUS = 5V)。该电阻是在电路板断电时测量的。在我测试电路的其他部分时、总加电时间为~1-2h。低电阻触发过流保护、SYS 降至0V、LED (STAT 和 PG)关闭。在完全熄灭之前、LED 的行为会降低(随机闪烁并变暗)。不用说 IC 被销毁了。

此外、我注意到 SYS 和 BAT 之间的电阻(基本上是 BATFET MOSFET 的电阻)也减小了；这次下降到大约66Ω Ω。我认为这种情况主要发生在电池在 BAT 和 GND 之间连接的情况下、但我无法肯定地说。此外、我注意到 SCL、SDA 和 CHARR_INT 引脚没有像上拉电阻器那样被拉至5V。这表明(至少部分)内部电路在这个过程中也被短路/损坏、在我的情况下、这些引脚被下拉至~0-1V。

我可以说、在为电路板供电的90%至95%时间内未连接电池(因为我正在测试其他电路部分、与 BQ24296M 无关)。此外、IC 永远不会发热、也不会损坏任何外部组件。这种行为发生在两个芯片上。下面是电路原理图。充电信号通过继电器连接到锂离子电池的阴极。 OTG 未连接。

是否有人会注意到可能导致芯片慢慢损坏的原理图错误？

非常感谢、

特里斯坦

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1810440 points

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特里斯坦、

原理图对我来说很好。对于布局、应尽可能减小电容 C19、PMID 和 GND 的环路、如数据表第42页上的布局指南所述。在 PMID 上添加一个与 C19并联的 X7R 1nF 0402陶瓷电容器有助于提高 EMC 性能。

正常运行时、BQ24296M SW 额定电压最大为7V。根据适配器的特性、输入电压源在运行期间可能发生超过最大额定值的瞬态事件、并损坏低侧开关 FET Q3。为了防止由输入电压应力造成的损坏、可使用具有快速响应时间和精确击穿电压的低压 OVP IC 或 TVS 二极管、适用于 VBUS、例如 TPD1S514。

在开发或制造过程中、通常使用直流电源而不是电池进行评估。但是、必须注意确保直流电源在上电、断电和负载瞬态期间具有良好的瞬态特性。必须小心操作、尽量减少充电器 BAT 引脚和电源之间的电缆导线或连接电池。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1810440 points

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尊敬的 Eric：

感谢您的回答。所有设计指南都得到了遵守、因此我怀疑这是原因。我用新的芯片替换了芯片、并确保在 BQ24296通电时始终连接电池。现在、它按照默认寄存器参数正确充电。在我的设计中、SYS 引脚上没有负载、因此开关稳压器不会为任何东西供电(除非通过 BAT 引脚为电池充电)。 SYS 引脚上没有负载是否会产生开关瞬变、从而随着时间的推移损坏芯片？

现在、我在 SYS (到 GND)上添加了一个~130Ω Ω 负载电阻器、以在电池充满电或错误断开时提供一个负载。到目前为止、我还没有遇到过与以前相同的问题！如果我在进一步的测试中看到任何其他东西、我会报告。

谢谢、

特里斯坦

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