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[参考译文] TPS650231：LDO 灌电流/泄漏电流

admin
Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS650231
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/717452/tps650231-ldo-sink-leakage

器件型号：TPS650231

您好、支持团队、

我的客户正在  使用 TPS650231进行超大容量设计、并看到 LDO 输出从1.8V 上升到2.0V。 在空载条件下、LDO 会自行上升、是否存在泄漏？ 如果 LDO 提供的器件(来自另一个源)上存在反向泄漏、以至于它会反馈 LDO、那么 LDO 是否可以灌入该电流？

此致

Jeff Coletti

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    TI__Guru**** 2386620 points
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    Jeff、

    请分享该设计的原理图。

    LDO1和 LDO2输出端的电容是多少？
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    TI__Guru**** 2386620 points
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    您好 Brian

    在输出上总共有10uF 陶瓷电容器。 会要求提供原理图。

    谢谢
    Jeff
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    TI__Guru**** 2386620 points
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    Jeff、

    泄漏通常来自受电的处理器(或 MCU 或 FPGA)。
    如果我们从 PMIC 开始进行调试、通常需要很长时间。

    我建议从其负载中移除 LDO1和 LDO2输出(切断线迹)、看看输出电压是否仍然升高。
    如果 LDO 达到目标电压并且不超过目标电压、则泄漏电流来自处理器(或 MCU 或 FPGA)。
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    TI__Guru**** 2386620 points
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    Jeff、

    由于您几周内未回复、我将此主题标记为已关闭。 如果您仍需要技术帮助、请提供更多信息以帮助我们解决您的问题。 如果您的问题已解决、请解释问题的根本原因并将问题标记为已回答。

    谢谢、
    Brian