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[参考译文] LM74701-Q1:高电压54V 故障

Guru**** 665180 points
Other Parts Discussed in Thread: LM74701-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1184125/lm74701-q1-high-voltage-54v-failed

器件型号:LM74701-Q1

您好!

我已经使用 Vds:60V、ID:40A、RDS on:5m Ω、Vgs:-20V、+20V、Qg: 23.5nC、测试了具有2个54V 电源和2个 N-MOSFET (IAUZ40N06S5N050ATMA1)的 LM74701-Q1

我已将引脚 EN 连接到阳极、并将 SW 引脚悬空。 当我插入我的两个 PSU 时、我认为其中一个 MOSFET (或两个)发生了故障、因为现在 MOSFET 的漏极和源极短路。

我认为这是因为我使用的电压高于 VCLAMP (最大43V)。 但在数据表中、它允许阳极的输入范围为3.2V 至65V。  

我的目标是使用 ORing 解决方案而不是肖特基二极管来阻断反向电流并具有低正向电压。

您能否确认我的问题是我的电压高于 VCLAMP?

提前感谢您!

 

 

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    您好、Noe、

    我怀疑 FET 由于热插拔期间的电压振铃而损坏、这大于 FET 的 VDS 额定值。  在 PSU 热插拔期间、请捕获 VIN1、VIN2和 VOUT 信号。 如果我们的怀疑是正确的、那么 FET 在45V 或40V 等较低电压下不会发生故障、对吧?

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    Praveen、您好!  

    我正在等待一些组件到达、我将再次运行测试。  

    我将尝试使用25V 的电压。 我还将 FET 更改为 VDS 100V、而不是60V、并且导通了相同的 RDS。

    如果您的怀疑是对的、我会随时向您提供最新信息。

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    您好、Neo、

    是的、请随时向我更新测试结果。  

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    Praveen、您好!  

    因此、我使用2个25V 实验室直流电源进行了测试、结果非常顺利。 Vin1和 VOUT 之间的压降为22mV、Vin2和 VOUT 之间的压降为17mV。  

    之后、我在54V 条件下使用2个 EP-500-54进行了测试、但在热插拔期间没有测量到任何高于正常工作电压的峰值。 MOSFET 正常、但问题在于、我在 Vin1和 VOUT 之间测量80mV、在 Vin2和 Vout 之间测量0mv。  

    模块1应处于完全导通模式、但 V (门到阳极)与 V (Vcap 到阳极)不同。

    模块2应处于稳压导通模式、但阳极-门为0mV。

    在我看来、只有 VIN2会传导并在我施加负载时提供电流。

    你怎么看?  

    提前感谢您。  

    编辑:我测试了 Vin2的 MOSFET、它短路了、这对我来说很有意义、因为我首先插入 VIN1、MOSFET 此时必须已油炸。

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    您好、Noe、

    在使用54V 输入电压进行测试时,您是否在模块1和2上测量了 LM74701-Q1的栅极-阳极电压? 我们可以通过测量控制器的栅极电压来评论运行模式。  

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    Praveen、您好、我终于说服同事我们需要的芯片是 LM5050。 我在直流实验室中测试了栅极阳极之间的电压、最高可达30V、与数据表一致  

    但当我尝试使用54V 时、只有一个 MOSFET 正常工作、幸运的是、第二个 MOSFET 最终开路而不是短路。  
    无论如何、我没有解决 LM74701的问题、但我将继续使用 LM5050。  

    非常感谢您的帮助! 祝你度过美好的一天!