[参考译文] LM5066：可以将多个 LM5066并联

Nick、

ST FET 确实适合 SOA、但在 Rdson 上不是很好。  冷启动可能正常、但如果您循环通电并以 FET 热启动、SOA 输入会针对启动芯片温度与最大 DS 运行温度进行降额。  这是并联的帮助、以保持初始温度下降。  一个 FET 的正确语句看到了由于 Vth、Vpl平台 差异引起的 SOA 应力。  在故障期间(电源短路)、您仍然会有栅极时序差异以及插入时间差异。  将2个 LM5066并联并不是100%固定值、因为插入时间和启动时序(栅极源极电流、计时器电流、FET Vgsth/st平台)仍将起作用。  20mF 是需要大量电容的开始。  您很可能需要使用 Cgate 进行 dv/dt 启动控制、该 Cgate 还会将启动 SOA 置于单个 FET 上。  我将重点关注通过使用更好的聚合物电容器(更低的 C、更好的 ESR)来降低负载电容器。  使用产品页面上的设计计算器工具进行下载以提供帮助。

Brian

Brian、

不幸的是、我无法减小负载电容器。 这些负载电容器是 LM5066之后开关的大容量输入。 遗憾的是、这些开关必须提供非常大的电流阶跃负载、同时将输出保持在非常严格的容差范围内。

此外，我的应用程序不能热插拔。 它位于长电缆的末端。 LM5066的主要用途是控制电容器的充电、并用于电源监控。

虽然我同意、考虑到 FET 差异、2个并联 LM5066不是100%。 但是、如果 UVLO、OVLO 和计时器引脚连接在一起、它们的运行距离是否足够近、无法在功率限制启动时扩展 SOA "痛苦"？ 用户必须使用两倍的电流来计算计时器电容、因为现在有两个电流源为电容馈送电流、但这一点很重要(除非存在其他未知的 gotchas、这就是我在这里的原因)。

我将下载电子表格工具、并使用它来验证我迄今为止计算的值。

LM5066的数据表中未充分说明 dv/dt 模式、这一点太糟糕了。 典型应用图中的一个虚线框中仅提到该问题。 是否有任何文档涵盖了附加 dv/dt 电路的工作原理？ 计算器很高兴得到答案、但我想知道我的电路为何如此工作。 它在调试中非常有用。

您指的是哪种 ST FET？ 迄今为止、我计划使用的 SUM70060E 是一款 Vishay 器件。 我始终愿意选择其他选项。

谢谢、

Nick

Nick、

calc 工具包含 dv/dt 部分(产品页面或 www.ti.com/hotswap)。 该电路只是一个控制源电流的栅极电容器、而不是使用 FET 的 CRS+Ciss/CRSS/CRSs+Ciss 进行控制。 它可防止加电进入功率限制模式、使用您的电容器量、这很可能会导致 SOA 故障。 dV/dt 仍然通过 FET 传递相同的能量(与输出电容器组的1/2 CV^2相同)、但时间更长、从而允许热量从裸片传输到 FET 外壳。 ST 注释上的错误。 来自内存。 熟悉器件型号及其基本特性的人从存储器组中得到了错误的制造商。

之前没有将计时器引脚连接在一起。 听起来可能可以正常工作、但先检查2个 EVM。 克服栅极电流和 Cgate (dv_dt)可能仍然是一个阻碍因素。

Brian