• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 319 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD19535KCS：查找用于 HUF75545的 N 通道 MOSFET 替代产品

admin
Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19503KCS, CSD19501KCS, CSD19505KCS, CSD19506KCS
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/673381/csd19535kcs-looking-for-n-channel-mosfet-replacement-for-huf75545

器件型号：CSD19535KCS
主题中讨论的其他器件：CSD19503KCS、 CSD19501KCS、 CSD19505KCS、 CSD19506KCS

尊敬的团队：

我的客户正在为 现有设计寻找 N 沟道 MOSFET 替代产品(请参阅随附的现有 MOSFET 数据表)。

规格为：

峰值电流 - 26A

脉冲持续时间-10ms

工作频率-20Hz

工作电压50V

MOSFET 电压-至少80V

低 RDS 5m Ω 和更低的 Q 栅极总电流

封装 TO-220

请告知 MOSFET 具有相同规格和更好的性能。

提前感谢、

Shai  

  • 0
    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Shai,
    我们在半设备上拥有的最接近的交叉点是 CSD19503KCS。

    但是、如果他们想要在5m Ω 范围内(半导通电阻最大值为10m Ω)具有更好的电阻性能、我们可以尝试使用 CSD19501KCS 或 CSD19505KCS。 不过、我要提醒一下、这些电阻较低的器件不可避免地会比 CSD19503KCS 昂贵。
  • 0
    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    非常感谢。

    Shai
  • 0
    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您提出的改进 RDS 电阻但根据 SOA 面积、它将无法承受脉冲电流的建议。

    最棒的
    Shai
  • 0
    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Shai,
    抱歉。 在最初的帖子中、不清楚该器件是否打算在饱和区域中运行。 这是否用于热插拔？

    您需要什么 VDS 才能承受10ms、26A 的脉冲？ 我们的最佳 SOA 80V 器件将是 CSD19506KCS。 这是否用于热插拔？

    我不太倾向于相信 on Semi 数据表上的 SOA -它看起来是计算值而不是测量值。 实际上、我写了一篇关于我们如何测量 SOA 的博客-我们倾向于保守的态度。

    e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-2-safe-operating-area-soa-graph