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[参考译文] 需要具有双面焊盘的 N 通道功率 MOSFET (如 Vishay 的极性 Pak)

admin
Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17573Q5B, CSD17570Q5B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/680901/need-an-n-ch-power-mosfet-with-double-sided-pad-like-polar-pak-of-vishay

主题中讨论的其他器件：CSD17573Q5B、 CSD17570Q5B

是否有人可以建议 TI 处于活动状态/生产状态的最佳 MOSFET 器件型号、该型号可以满足/满足我们设计的以下关键规格/要求？

  • 双面冷却(两侧都有衬垫？ 可能？) 因为这会使较高的散热变得更容易
  • 任何诸如 Vishay Polar Pak (SiE882DF)等能够更好地管理散热的封装都是可以的
  • 栅源极电压(VGS)介于1.0V 和3.0V 之间时、漏极电流应升至高达30A 或更高、而 VDS 大约为1V、1.2V、1.35V、1.5V  
  • 应 以电气方式满足或优于 SiE882DF 器件的性能、更重要的是采用热性能。  

谢谢

Krishna。

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Krishna、

    感谢您来到我们并询问 TI MOSFET。
    遗憾的是、我们没有与 SiE882DF 相同的封装。
    根据您的应用条件、我们可以在标准 SON5x6轮廓中提供的最接近的芯片性能是 CSD17573Q5B 或可能的 CSD17570Q5B。 通常不建议将 CSD17570Q5B 用于同步降压等开关应用、而是用于 ORing、热插拔类型应用。 CSD17573Q5B 也可用于其中一种。
    虽然没有暴露的金属、但您仍可以将散热器放在器件顶部、但典型的 Rthj-top 封装不在数据表中、但在12-15摄氏度/瓦的范围内 不是很好、但有些热量可能会通过器件顶部吸收、而不是全部传至 PCB。 任何顶部冷却的效果如何，都取决于热系统以及是否有气流。 如果您的系统没有气流、那么如果您有暴露的金属卡舌、则效果不会有多大。


    此致
    Chris
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    TI__Guru**** 2386610 points
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    Chris、

    感谢您推荐的一些好器件。

    是否可能具有 TI 的等效 SiE822DF？  或者、您提出的解决方案对于这两个部件 Vishay 部件几乎完全相同？

    很清楚、我们不 会将这些器 件用作开关稳压器中的高侧/低侧开关、而是加载和测试 PCB 上已经设计的此类稳压器。 我们需要通过将电流从稳压器设计所针对的最小限值变为最大限值来测试稳压器。  

    是的、你是对的。 由于高电流和热功率值、并且根据过去的经验、需要在 MOSFET 顶部安装散热器、以便将热量从器件中带走、而不是让所有热量都传递到 PCB。   但是、如果我们能够获得合理的良好且具有竞争力的器件、以满足高功率应用中不断增长的电流要求、尽管该器件不会提供双面焊盘、这将是很好的选择。  

     

    谢谢！

    Krishna。

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    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Krishna、

    遗憾的是、我们没有与 SiE822DF 同等的可用封装。

    此致
    Chris
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    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    没问题、Chris Bull. 非常感谢您的支持。 非常感谢。