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[参考译文] CSD87350Q5D:CSD87350降压控制器应用程序损坏

Guru**** 2383220 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS40170, CSD87335Q3D, CSD87350Q5D
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/668032/csd87350q5d-csd87350-buck-controller-application-damage

器件型号:CSD87350Q5D
主题中讨论的其他器件:TPS40170CSD87335Q3D

您好、先生、

我们的客户将 CSD87350与 TPS40170用于降压应用、

但会造成一些 CSD87350损坏、高侧 MOS 性能良好低侧 MOS D 到 S 短路。

我们将检查 VSW 是否具有35.2V 过冲、我们将 与客户对 Rboot/Rgate /缓冲器进行微调。

但终端客户需要一些数据 来澄清此问题需要您的支持、谢谢。

问题1:如果此问题是雪崩击穿、  

有多少 VDS 会损坏 CSD87350? 30V、27V 或其他电平?
如果超过此级别的 VDS 会损坏该脉冲的时间? 请为我分享计算公式。

Q2:如果此问题是由温度引起的、那么闪存时间的温度将会损坏多少? 或脉冲时间电流会损坏?

问题3:如果这个问题是体二极管损坏、您能不能与我分享一些损坏条件?

问题4:如果此问题是 ESD 形式、您能向我提供一些建议吗?

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    Hugo、
    电源块中任一 FET 漏源极上允许的绝对最大电压为30V、因此上述任何电压都可能对器件造成损坏、尤其是在发生重复事件时。

    虽然一些供应商尝试提供有保证的"重复"雪崩额定值、但至少可以说、预测 MOSFET 在发生故障之前可以处理的能量或重复雪崩事件的科学是模糊的。 据我所知、无法预测何时会发生故障、超过30V 绝对最大额定值是我们在应用中不推荐的。

    因此、我认为这很可能是失败的原因、 但是、如果您对系统进行调试、使振铃小于30V、并且仍然出现故障、请随时返回并重新打开此主题或启动新主题、我将尝试帮助您解决此问题。
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    您好、先生、

    TI 是否具有 CSD87350的 CSD95472的 VIN 至 VSW (10ns) 和 VSW 至 PGND (10ns)数据相似 ? 终端客户告诉我们  、他们在 CSD8750数据表中找不到该数据。

    我们的客户 告诉我 带宽设置20MHz、在24V 下振铃。 示波器的 BW 设置符合您的建议?

    我知道、电压裕度分为两部分:VDC 和 VAC、CSD87350的 VDC 和 VAC 值是多少?  

    如果此产品需要重新布局、 什么是 VDC 和 VAC 值是安全? 标准降额80%?

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    Hugo、
    通常、我们建议在 Vin 和 FET 的绝对最大击穿条件(在本例中为24V)之间至少降额20%。 理论上、您可以在更高的频率下工作、但这通常需要一个缓冲器。

    我将询问我们的应用团队成员、他们是否允许大约几 ns 的低电压脉冲高于30V、 但一般来说、如果您接近30V BVDSS 并在振铃期间高于它、这将使 FET 雪崩、并且很可能是故障的原因。

    我还必须询问示波器带宽。 您的客户的工作开关频率是多少?
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    您好、先生、

    我们的客户使用20MHz 带宽进行验证、 但 据我所知、测量软件需要使用全 带宽或250MHz 带宽。

    Hugo  

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    Hugo、
    我们通常使用1GHz 带宽和20GS/s 客户应尽可能使用全带宽来查看最准确的结果。
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    您好、先生、

    您的团队是否会在几 ns 内获得高于30V 的脉冲?

    Hugo
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    你好、Brett

    很抱歉让人困惑

    我们在数据表中看到 CSD87335Q3的 VSW 到 PGND (10ns)额定电压、但 CSD87350Q5没有  

    请帮助确认 CSD87350Q5在10ns 内的额定电压?

    还是 CSD87350Q5 10ns 额定电压与 CSD87335Q3相同?

    谢谢  

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    Hugo、
    我们的应用团队说、您可以使用我们在 CSD87335Q3D 数据表中重点介绍的相同32V。

    他们再次指出、您在上面的波形中看到的35V 尖峰以及该过冲的连续脉冲、只能保证损坏器件。
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    您好、先生、


    我们知道、如果 VDS 过冲超过规格。 TI 不保证 MOS 不会损坏也能正常工作、我们将尝试根据规格减少过冲。

    但是、由于我们尝试增加导致过冲的频率并进行多次测试(每周15次)、因此仍然无法重复 MOS 损坏。

    因为我们无法在半年的时间里进行测试以获得结果。 MOS 是一个半导体工艺。 我们想知道是否有任何可靠性

    可以设置参数然后获取结果的 CSD87350Q5D 数据。 例如、设置温度、电压、电流等一些条件 那么它可以

    快速获得 MOS 的生命周期。 同样、我们是否可以输入过冲值、然后获取提升周期数据?


    此致、

    插孔    

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    插孔、
    无法根据重复雪崩计算寿命。 重复发生此破坏性事件的器件的长期可靠性并不是一个很好的理解。

    它可能在发生100个事件后失败、也可能在发生100、000个事件后失败。 这就是我们不在数据表中提供重复雪崩条件的原因。
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    您好、Brett、

    我们明白了。 感谢您的支持。

    此致、

    插孔