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[参考译文] BQ25700A:开关 MOSFET

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25700A, EV2400, CSD17551Q3A, CSD17308Q3, BQ24725A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/720033/bq25700a-switching-mosfets

器件型号:BQ25700A
主题中讨论的其他器件: EV2400CSD17551Q3ACSD17308Q3BQ24725A

您好!

使用 BQ25700A 执行我的第一步。

在使用 EV2400运行 BQ25700A-EVM 后、我打印了一个原型板。

我在之前的仅降压充电器(BQ24725A)系列中剩下一些 CSD17308Q3、在比较 CSD17551Q3A 和 CSD17308Q3数据表后、我为该产品选择了最后一个。

RDS_ON 类似、但使用 CSD17308Q3时、Qg 和 Qgd 要低得多。 因此、开关损耗应该更低、对吧?

TI 是否为 BQ25700A EVM 选择了 CSD17551Q3A、而不是 CSD17308Q3、因为它较新? 除了 CSD17308Q3的较低 Vgs (+10/-8V 而不是+20/-20V)之外、我不明白为什么 CSD17551Q3A 更适合此应用。

有人能告诉我我我是否做出了错误的选择、如果是、为什么?

如果我的选择是可以的、在哪里可以获得一些建议、以便将过孔放置在散热焊盘下方进行热传导? 与 CSD17551Q3A 的指南相同? CSD17308Q3数据表中没有热通路的相关信息。

谢谢你。

此致。
Matthieu。

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    Matthieu、

    对于较低的栅极电荷、开关损耗更低。 栅极电荷也是由于寄生参数(包括走线电感)而导致的开关损耗和振铃的折衷。 我认为您可以使用您拥有的 MOSFET、并了解其性能是否可以满足您的设计要求。 这两个 MOSFET 是 P2P 兼容的、您可以在同一 PCB 板上交换 FET。

    两个 MOSFET 具有相同的封装;您可以应用相同的散热过孔放置规则。
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    您好 Eric、

    感谢您的回答。

    实际上、如果栅极信号在10V 以上振铃、我就会遇到问题。

    此致。

    Matthieu