请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:TPS51200 尊敬的所有人:
建议将 TPS51200替换为 DDR3终端的 EV1320 (Enpirion)。
随附了与 TPS51200相同的原理图部分、供您参考。
请尽早提供您的反馈、以便我们为 PCB 的生产留出空间。
此致
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
大家好、下面是我对原理图的评论:
1-电容器 C1089太大、无法在 REFIN 上去耦。 REFIN 是放大器缓冲器的输入。 1nF 至10nF 足以进行去耦。
2- DDR3_VTT 上的输出电容为5x22uF。 您可以删除其中的2个、除非有有效原因
3 -在 VOSNS 引脚与 GND 之间增加0.1uF、R1100可更改为10欧姆。 可能需要 VOSNS 引脚上的 RC 滤波器来补偿从 VO 引脚3到输出电容或 ESL 的杂散电感。
4-在 DDR3_VTT 至 CTRL_1.35V 之间有5个电容器 C205至 C209。 连接是否错误?

此致