一般问题：
问：TPS51206支持哪些类型的 DDR？
答：TPS51206支持 DDR2、DDR3、DDR3L、LP DDR3 (低功耗 DDR3)和 DDR4。
Q：如何计算 TPS51206的功率耗散。
答：TPS51206是一种线性稳压器、VLDOIN 电流等于 VTT 电流。 TPS51206器件的功耗可通过以下公式计算得出：(VLDOIN-VTT)*Iout。
以 DDR4应用为例。 VDDQ 电压为1.2V，VTT 为0.6V，VTT 电流为1A，TPS51206的功耗为(1.2V-0.6V)*1A=0.6W。
问： TPS51206是一款2A LDO 稳压器、TPS51206能否支持持续2A 直流电流？
答：我们不建议使用 TPS51206长时间支持连续2A 直流负载。 在功率耗散较大的情况下、器件将被加热、VO 电压偏差可能超出 DDR 规格。 有关安全的直流负载电流、请参阅数据表第7页的负载调节曲线。
问：过流保护模式是什么？
A：当灌电流/拉电流高于2A 时、灌电流/拉电流受到限制、Vout 将超出稳压范围。 当 OC 条件消失后、输出电压将恢复到稳定电压。 这是非闩锁保护。
问：VTTREF 容差是多少、它是否符合 DDR4规格？
A：数据表规格表中提供了10mA 条件下的 VTTREF 容差规格。 附加规格(在100uA 条件下为+/-1%、1.2V<=VDDQSNS<=1.8V)将添加到数据表规格表中。
对于 DDR 应用、100uA 的电流应该足够大、因为每个 DIMM 的 Vref 泄漏电流只有几 μ A。 在100uA 下具有+/-1%容差、VTTREF 电压符合 DDR4规范。
原理图相关问题：
问：如何检查原理图是否正确？
答：我们建议遵循数据表第8节(应用和实施)提供的参考设计。 以下是需要注意的关键事项。
- VLDOIN 和 VTT 需要最小10uF 的电容器。 为了获得更好的瞬态性能、建议为 VTT 提供更大的电容。
- 对 VDD 引脚使用大于0.1uF 的电容器。
- 建议为 VTTREF 引脚使用0.22uF 电容器。
问：VLDOIN 和 VO 电容值是否有最大限制？
答：VLDOIN 和 VO 电容值没有最大限制。
问：如果未使用 VTTREF 信号、VTTREF 引脚能否断开？
答：不能、VTTREF 引脚不能打开。 建议为 VTTREF 引脚使用0.22uF 电容器。
问：是否应严格遵循数据表图23中的启动和关断时序？
A：建议使用数据表图23中的时序。 在上电期间、允许在 VDLOIN 和 VDDQSNS 之前打开 VDD、S3和 S5。 在断电期间、允许在 VLDOIN 和 VDDQSNS 之前关闭 VDD、S3和 S5。
布局相关问题：
问：数据表上是否提供布局指南？
答：是的、数据表第10节提供了布局指南。 请遵循该指南以获得更好的性能并避免出现任何意外问题。
问：如何连接 TPS51206散热焊盘、GND 引脚和 PGND 引脚？
A：散热焊盘用于在 TPS51206上散热。 建议通过多个过孔将散热焊盘连接到大功率接地铜平面。 将 GND 引脚和 PGND 引脚直接连接到散热焊盘。
