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[参考译文] CSD23382F4：CSD23382F4在4.5V 时的栅源泄漏电流

admin
Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD23382F4
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/698310/csd23382f4-csd23382f4-gate-source-leakage-at-4-5v

器件型号：CSD23382F4

您好！

我的客户想知道  CSD23382F4在4.5V 电压下的最大栅源漏电流是多少 、因此他们可以在该设计中对此进行考虑。  我们是否有 任何特性数据/值？  

此致、

Errol Leon

德州仪器(TI)

现场应用工程师   

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    Errol、

    感谢您发帖。 遗憾的是、这不是我们所描述的特征、也不是我们在生产中测试的特征。  

    因此、我们只能建议它将小于数据表中提供的-8Vgs (-10uA)处的值。  

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    4.5V 时的泄漏电流能否通过设计保证小于 s 特定阈值？

    其他供应商也有类似的 FET、在8V 时也有10uA 的泄漏电流、但他们也描述了较低电压下的泄漏电流、这对于我们 PFET 处于待机状态的应用非常有用。
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    TI__Guru**** 2386610 points
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    遗憾的是、在-8Vgs 下、我们没有该特定器件的任何数据。

    而且很难预测在8V 以下的任何点会出现什么泄漏、因为对于这种技术类型、泄漏会随 Vgs 呈指数级增长。

    因此、如果您想保守起见、可以将8V 泄漏电压乘以线性因数(10uA * 4.5/8 = 5.6uA)、您可以放心地说、由于指数曲线的一致性、器件的实际 IGSS 会很好地低于此值。

    但是、我不知道如何在不实际测量器件的情况下获得比这更精确的估算值、因此我们不会更改此器件的测试程序以包含另一个值。