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[参考译文] BQ24780S：LODRV 功能

admin
Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24780S, CSD17308Q3, CSD17309Q3
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/750991/bq24780s-lodrv-capability

器件型号：BQ24780S
主题中讨论的其他器件： BQ24780、 CSD17308Q3、 CSD17309Q3

各位专家：

当使用 BQ24780S LODRV 驱动 MOSFET 时、发现该引脚不起作用。

原始：目标 MOSFET 为 csd17308Q3、BQ24780在正常驱动下工作。

目前：csd17309Q3、由于 Qg 大于 CSD17308Q3、LODRV 似乎无法驱动此 MOSFET。

请参阅数据表、没有关于 LODRV 的规格预期 Rdson。  当重要规格模糊时、很难确定要使用哪种 MOSFET。

您能否澄清 LODRV 的功能、以便于选择 MOSFET？ 谢谢！

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    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Wenhao、

    数据表将低侧驱动器的导通和关断电阻指定为：

    这些参数可用于通过估算导通和关断时间

    T_ON =(Qg * Ron)/(V_REGN - V_PLAT)

    T_off =(Qg * roff)/(V_PLAT)

    使用2.6V 的典型平坦电压、

    T_ON = Qg *(3.53A^-1)

    T_off = Qg *(0.48A^-1)

    注意：这些值使用的是最坏情况下的数字。  

    通常、您希望 FET 总导通/关断 时间小于或等于开关稳压器周期的2%、这会产生约1%的效率损耗(仅限开关损耗)。  对于1MHz 的最快开关频率、这将是10^-8S。 这将得出最大 Qg = 4.98纳库仑。

    EVM 使用 Qg = 3.9nC 的 FET。 csd17309Q3的 Qg = 7.5nC。  这比我通常建议的高一点、但 低侧驱动器仍应能够驱动 FET。  这将导致更高的开关频率、但我仍然希望您的总电弧时间大约为稳压器周期的4%、这是假设您以1MHz 的频率运行。  

    "LODRV 无法驱动此 MOSFET "是什么意思？  您能更详细地描述一下吗？  您是否根本看不到 FET 导通？  我不会期望这种情况发生，如果你看到这种情况，那么也许还有另一个根本原因。

    此致、

    Steve

     

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    (数据表图片在上述帖子中未正确粘贴)

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好、Steve、

    请参阅随附的图片。  

    下面是17308开/关波形

    下面是17309开/关波形。  

    实验结果表明、对于17309、23780S 需要更多时间将其驱动为铂、因此、遗憾的是、这将导致一些状态转换问题。 在评估 LODRV 的驱动能力后、我将获得进一步的测试结果。 毕竟、17309或17308都可以使用。

    谢谢！

    －文豪

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好、Steve、

    另一个问题、您能否解释如何分别计算3.53A 和0.48A。  下面显示了我的预期最坏情况计算：

    Vregn 介于5.7-6.3V 之间。

    然后、提供平坦电压为2.6V

    Ron/(Vregn-2.6V)=12/(5.7-2.6)=3.87A^-1；while

    ROFF/2.6V=1.25/2.6=0.48A^-1

    请对3.87和您的答案3.53发表评论。 谢谢！

    －文豪

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好、Wenhao、

    我使用的 V_REGN 标称值为6.0V、而您使用的最小值为5.7V。  我同意使用最小值、正如您在计算中所做的那样、更加稳健。

    Steve