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[参考译文] UCC28951-Q1：UCC28951-Q1

admin
Guru**** 1794070 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28951, UCC28950, UCC21521
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/747820/ucc28951-q1-ucc28951-q1

器件型号：UCC28951-Q1
主题中讨论的其他器件：UCC28951、 UCC28950、 UCC21521

你好  

我正在设计用于电池充电的1.32KW 直流/直流转换器。

规格：Vin 310-410VDC  

            输出电压为13.2V 和100A

以下是电源电路和控制 circuite2e.ti.com/.../control-circuit-edited-new.pdf 的原理图

e2e.ti.com/.../power-circuit-updated-new.pdf

1) 1)我们已针对100A 输出进行设计、最初我们将测试13.2V 和25A 输出。

控制电路原理图中的 RRE 和 RS 分别为7.2k 和72欧姆(对于25A 测试)、对于100A、我们得到了2.2k 和22欧姆。 CZ、CP 和 RF 的实际计算值分别为8.54nF、854pF 和18.6Kilo 欧姆。 我们实现了原理图中的控制电路以及除这些值之外的其他更改。  

2) 2)我们从0开始逐渐增加输入直流电压。 我们已经看到输出电压和电流也在显著增加。 输入电压为290Vdc 时，输出端的电阻负载为13.2V 和1A (输出端为10欧姆的电阻负载)。但我们尚未达到工作范围，即310V - 410V，我们将电压增加到300，输出开始在0V 至14V 之间波动。 现在 MOSFET (QB、QC、QD)已经熔断了、我们已经看到在该电压及更高电压下发生了两次相同的情况。

我们采用了 MOSFET (QA、B、C、D)额定值1000V、35A。

问题和原因可能是什么？

请帮帮我们

谢谢、此致

rajashekar

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    TI__Guru**** 1794070 points
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    除了这些值之外、我们没有进行其他更改-抱歉、句子更正
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    TI__Guru**** 1794070 points
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    您好 Rajashekar：
    您能否在 UCC28951 Excel 计算器中填写参数并将其发送给我？
    在这里、我需要驱动电路来查看电路是否正确。
    另请将 DF1和 DF2以及 QA 数据表发送给我。


    我建议使用600/650V CFD 系列 MOS、而不是使用1000V 额定 MOS。 这是因为通常使用较高电压比的 MOSFET、恢复性能较差。
    我想、mos 的吹出是因为过流或过热、而不是过压。 因此、请尝试扩大 mos 的死区时间。
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    TI__Guru**** 1794070 points
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    你好、David

    我没有找到 UCC28951 Excel 计算器。 请给我一些找到它的路径。

    我在这里连接行驶 circuite2e.ti.com/.../6165.gate-driver.pdf

    在上面的电路中进行了一个校正、DT 引脚保持开路、EN 引脚连接到电源电压、10K 欧姆上拉 resistor.no 进行了其他更改。

    IAM 还连接 DF1、DF2都是相同 的 e2e.ti.com/.../superfast-recovery-diode.pdf

    QA 数据表为 e2e.ti.com/.../C3M0065100K-input-mosfet-1000V-35A-65m_2D00_ohm.pdf

    谢谢、此致

    Rajashekar

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    TI__Guru**** 1794070 points
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    您好、Rajashekar、
    您可以使用 UCC28950 Excel 计算器。
    下面是链接。
    www.ti.com/.../getliterature.tsp
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    TI__Guru**** 1794070 points
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    你好  

    下面是我附加的 Excel e2e.ti.com/.../TI-600W-design-mine.xls

    请更正我出错的地方。

    谢谢、此致

    Rajashekar

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    TI__Guru**** 1794070 points
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    您好、Rajashekar、
    对我来说没关系。 您可能不需要垫片电感器、但请留一个位置。
    MOSFET 损坏问题是否已得到解决？
    这次使用了什么类型的 mos？
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    TI__Guru**** 1794070 points
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    你好、David  

    此 MOSFET 损坏问题未得到解决，我们使用了 MOSFET 部件 nmbr：C3M0065100K 1000V 35A。

    MOSFET 故障只有三个原因  

    电压额定值

    电流额定值

    结温

    我们发现 MOSFET 没有发热，而且我们为它连接了足够的散热器。

    当我们谈论电压时，我们已经为转换器提供了300V 直流输入，但它非常低于 MOSFET 的额定值。

    在输入电压相同的300V 条件下，输入初级电流小于10A，我在计算公式中看到这一电流大约为5-6 A

    变压器是否在过大电流流入 MOSFET 时达到饱和状态？

    我将指定变压器规格  

    变压器磁芯使用 EE65铁氧体磁芯 N87material

    np：16转，单股在初级上拍摄。

    NS1：1转

    NS2：1转

    所用电线：42/200 SWG 利兹电线 ，即变压器初级侧和次级侧42 SWG 200b绞 线

    我们在测试25A 输出时，在每个次级上采集5股，因此它可以轻松携带30A 电流

    如果我出了问题，请办理入住手续，并纠正我的问题。

    谢谢、此致

    Rajashekar

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    TI__Guru**** 1794070 points
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    您好、Rajashekar、

    正如我之前所说的、您能否尝试600-650V CFD 系列 mos 以查看性能？

    我在这里附上了我以前使用过的一个 mos。  器件型号为 IPW65R080CFD。

    我没有使用 SIC mos 的实验，但在这里我的想法是：

    MOSFET 不可能因电压而损坏、只是 MOS 上的尖峰太高、超过1000V。

    最大的问题是导致结温超过规格的过流。 您还可以将 MOSFET 的电流用于上部 MOSFET 的漏极引脚。 使用触发模式时，您应该能够看到 mos 的电流和电压。

    您还可以对变压器的初级电流进行范围、以查看其是否会达到饱和状态。

    e2e.ti.com/.../Infineon_2D00_IPW65R080CFD_2D00_DS_2D00_v02_5F00_04_2D00_EN.pdf

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    TI__Guru**** 1794070 points
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    e2e.ti.com/.../5123.Control-circuit-edited-new-1.pdfHelloDavid

    MOSFET 由于超过其额定电流35A 而熔断。

    在转换器的输入侧没有进行适当的控制。 可能是什么问题？ 我应该做些什么更改、我在第一个电路上连接了控制电路。

    您是否还可以检查补偿器件

    谢谢、此致

    Rajashekar

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    TI__Guru**** 1794070 points
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    您好、Rajashekar、
    我想我已经清楚地告诉过您、请尝试该组件并将需求波形范围扩大到我、否则我们无法知道 MOSFET 为何仍然损坏。
    在断裂的时刻、您应该能够测试上下侧的 GS 波形。 这就是为什么 mos 上存在过流的原因。
    我需要添加的一个信息是：从驱动电路中、您可以使用 MGJ2D121505SC DCDC 为 UCC21521提供电源。 是否可以再次检查此器件？此器件的输入为12V、但您在此处使用的是5V。
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    TI__Guru**** 1794070 points
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    您好、Rajashekar、
    您对此帖子是否有任何更新？
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    TI__Guru**** 1794070 points
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    您好、Rajashekar、

    您是否仍在研究此问题？ 因为我没有得到你的反馈，所以我想你已经解决了。 请允许我关闭此帖子、如果您仍需要帮助、请创建一个新帖子、谢谢。