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器件型号：LP2998-Q1 主题中讨论的其他器件： LP2998、 TPS51200-Q1
您好！
我的客户正在对我们的 LP2998-Q1 DDR 存储器终端进行分析、并遇到了一个有趣的案例。
他们的问题是有关 LP2998-Q1 DDR 终端稳压器及其 VDDQ 电压容差的上限和下限。 他们 计划将 VDDQ 标称值为1.35V 的器件以及3.3V 的 Avin 和 PVIN 电压用于 DDR3L 存储器 MT41K128M16JT-125。 数据表显示："该器件还支持 DDR3和 DDR3L VTT 总线终端、VDDQ 最小值为1.35V"。 这可能被解释为1.35V 是一个最小额定值、并且器件可能无法在容差范围内工作。 它听起来几乎像是1.35V VDDQ、就在器件功能的底部附近(不是操作器件的好地方)。 然而、在同一数据表中的图5中、您可以看到即使低至1V 的稳定电压、因此您可能会看到我们在这方面的困惑。 我还注意到另外两个可能成为问题的要点。
我可以总结我的客户和我现在都有的3个问题：
- 在 VDDQ 标称值为1.35V 的 LP2998-Q1用于 DDR3L 时、LP2998支持的 VDDQ 电压容差上限和下限是多少？ 例如、VDDQ 电压容差为1.283V 至1.45V 是否可接受(这是 DDR3L 存储器芯片列为 VDDQ 范围的内容)？
- 我注意到，对于数据表中的输入电源，它说：“建议将 PVIN 连接到等于或小于3.3V 的电压轨，以防止由于内部功耗过大而导致热限制跳闸”。 它们是否在设备功能的“边缘”运行？
- 另一个小问题是、查看数据表的修订版本、它看起来像是在稍后阶段添加了 DDR3功能、这意味着器件最初没有计划与 DDR3配合使用。 是这样吗？ 该器件是否可以安全地与我的客户选择的 DD3L 存储器配合使用？ 是否有更好的解决方案、这也有更宽的工作温度范围(例如-40C 至+95C)？ 我以前从未注意到过这一点、但经过一些调查后、我想确定。
此致、
Ross
