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[参考译文] TPS7A05:TPS7A05的压降模式、低电流行为

Guru**** 1831610 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS7A05
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/744220/tps7a05-dropout-mode-low-current-behavior-of-tps7a05

器件型号:TPS7A05

对 TPS7A05有一些问题、数据表中似乎未解决、希望可以回答这些问题。

1) 1)数据表介绍了它如何降低压降模式下的 IQ、但我找不到有关压降模式下 IQ 外观的图形或规格。 我们使用 CR2032电池(全电压为3V、空电压为2V)、因此我们预计在压降模式下会有大量工作。
2) 2)数据表显示、满足电压精度规格需要10uA 的最小值、但我们的产品大部分时间都处于深度睡眠状态、电流~5uA。 电压输出低于10uA 有多不准确?
3) 3)它还提到、在压降模式下、压降只是 PMOS 晶体管上的压降、但我找不到它指定相对于输出电流的压降。
最后、如果数量足够高、是否可以将该器件修整为2.7V?
谢谢!
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    您好!Dylan、

    1) 1) Iq 不会增加压降、因此数据表中没有要包含的图。 在压降中 IQ 是相同的、而在压降中 IQ 是相同的。 您可以使用数据表中的图1来了解典型 IQ。

    2) 2)对于典型性能、请参阅数据表中的图28以了解 Vout 与 Iout 的变化。 当 Iout = 5uA 时、您应该会看到与 Iout = 10uA 非常相似的性能。 在+125°C 时、输出误差开始增加至低于 Iout = 2uA 当 Iout = 0且温度=+125°C 时、Vout 增加到高于设定点+5%。 我在0.8V 固定输出下测量了0.842V 电压。

    3)压降电压与 Iout (负载电流)典型性能的关系如图21和22所示。

    我将通过您有关2.7V 的请求、并返回给您。
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    您好!Dylan、

    我没有听到您的反馈。 我假设您能够解决您的问题。 如果不是、只需在下面发布回复或在该线程由于超时而锁定时创建新线程。