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[参考译文] CSD19532KTT:绝对最大额定值、漏极-源极电压和功率耗散

Guru**** 667810 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19532KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/748034/csd19532ktt-absolute-maximum-ratings-drain-source-voltage-and-power-dissipation

器件型号:CSD19532KTT

大家好、

客户希望确认以下两点。 他们希望使用 CSD19532KTT 、但发现这将被寿命测试打破。 他们希望解决这个问题、并提出以下问题。

 1. CSD19532KTT 正用于电机应用。 在3微秒内、施加到该 FET 的漏源电压可在50微秒周期内超过100V。 他们希望确认这种对绝对最大额定值的短时违反是否可以接受。 您能就此发表什么意见吗?

2.客户希望了解绝对最大电压功率耗散的定义。 他们应该如何理解这一点?

他们的想法如下。

即使在很短的时间内、功率耗散也不应超过该值。

该值是25°C 环境温度下结温超过特定温度时的功率耗散。 这意味着、如果结温未超过特定温度、则可以超过此功率耗散。 他们认为、如果后一个散热器正确、散热器可能会有所帮助。

此致、

北井高桥

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    Takahashi San、

    感谢您在我们的 MOSFET 上进行设计。

    回答您的问题。
    1.客户违反了器件的绝对最大额定值,我们不保证使用寿命。 我们建议客户调整其电路、使最大电压不超过100V。
    最大功率耗散是基于最大温度和热阻的简单计算、此处的博客提供了有关此额定值和电流额定值的更多信息。 e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-3。 是的、理论上、如果保持结温、您可能会超过功率耗散、但在这种情况下、您可能会违反最大电流规格、即器件限制或封装限制。
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    Chris、

    谢谢。
    通常、是否有任何方法可以降低电机应用中的尖峰?
    很抱歉、这个问题并不具体、但我不确定具体细节、如果您有任何建议、将会有所帮助。

    此致、
    北井高桥
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    Takahashi San、

    是的、有几种潜在的方法可以减少各种振铃甚至 EMI。

    下面的原理图显示了用于驱动直流有刷电机的全桥拓扑(但可以应用于三相)。

    每个 FET 上的 VDS 由一个 RCD 钳位控制、以减少漏源振铃。 本示例中使用了电阻器27欧姆、电容0.1uF、二极管1N4148。

    电机绕组上有一个 RC 缓冲器、用于降低 EMI。 在本示例中为56欧姆电阻器和0.1uF 电容器。

    当栅极电压超过 FET 的 Vgs 额定值时、使用齐纳二极管通过将 FET 的栅极钳位到齐纳电压来保护 FET 的栅极。 本示例中使用的 MM3Z15VT1G 齐纳二极管。

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    请在此处找到原理图