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[参考译文] CSD18543Q3A:上升时间与 CSD18563Q5A 相比

Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A, CSD18563Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/747495/csd18543q3a-rise-time-compared-to-csd18563q5a

器件型号:CSD18543Q3A
主题中讨论的其他器件: CSD18563Q5A

您好!

数据表中指出 、CSD18543Q3A 在 V_Gs=10V 和 I_DS=12A 时的上升时间为18ns。 与上升时间为6.3ns 且 V_Gs=10和 I_DS=18A 的 CSD18563Q5A 相比、这看起来相当慢。

由于 CSD18543的栅极电荷小于 CSD18563的栅极电荷、我假设上升时间更短。

18543的上升时间是否真的这么高?

此致

1月

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Jan、
    感谢您的提问。 FET 数据表中的开关时间并不总是确定 FET 在实际应用中开关速度的最佳方法、因为它们在很大程度上取决于测试条件和用于测试的电路板。 这两款器件相隔3年发布、在测量开关时间时很可能使用不同的测试板。 更好的指标是数据表中指定的参数的 RG x QG 时间常数。 我同意、较低栅极电荷器件的开关速度应快于具有较高 QG 的器件。 如需了解更多相关信息、请查看此博客: e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-5-switching-parameters