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[参考译文] LM5140-Q1：MOSFET 的重要发热、死区时间问题？

admin
Guru**** 2419530 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5143-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/746961/lm5140-q1-important-heating-of-mosfets-dead-time-issue

器件型号：LM5140-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5143-Q1

您好！

我们在28V 的+3V3 @ 1A 和+5V @ 1A 范围内实施了 LM5140
如今、MOSFET 晶体管的发热非常大。 我们不理解

下面是我们的原理图：

下面是我们在晶体管 VDS (HS 蓝色/ LS 绿色)上观察到的情况：

此致、

C. Letonnelier

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    TI__Guru**** 2419530 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    从上面的示波器屏幕截图中可以看到、死区时间似乎没有得到尊重、我们怀疑热问题可能来自此处。

    我们想知道不正确的 PCB 布线可能是什么原因？
    实际上、我们已将 PGND1和 PGND2连接到接地平面、而不是如数据表中所建议的那样将其连接到靠近 MOS 的位置。

    克莱蒙特
  • 0
    TI__Guru**** 2419530 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Cl é ment、

    如果高侧和低侧栅极电压重叠、请尝试移除低侧 FET 的栅极电阻器。 此外、我建议您填写可从产品文件夹下载的快速入门计算器。 您可以使用 LM5143-Q1版本、因为它在功率损耗计算方面具有更多的功能。 对于28V 输入、您可能能够使用40V FET 运行(选择高 Rdson、低 Qg FET、因为电流非常低)。 实际上、请注意、我们还集成了用于1A 输出的 FET 转换器。

    此致、
    Tim