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[参考译文] CSD18536KTT:CSD18536KTTT 老化参数

Guru**** 2383240 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18536KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/745898/csd18536ktt-csd18536kttt-aging-parameters

器件型号:CSD18536KTT

希望此电子邮件能给您带来良好的效果。  

想要了解您是否维护分立式 MOSFET CSD18536KTT 的可靠性数据?

根据可靠性数据、我指的是包含 BTI (偏置温度不稳定性)、热性能等导致的老化效应的数据。

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    您好 Siddharth、
    感谢您关注 TI MOSFET 产品。 持续可靠性数据可在以下器件的产品文件夹中找到: www.ti.com/.../home
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    非常感谢您的回复 John、我想问更多关于老化对用于仿真的 SPICE 模型参数的影响的问题。
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    您好 Siddharth、
    感谢您的澄清。 我已向我们的质量工程师申请老化对关键参数的影响。 他目前不在办公室。 我将在获得更多信息后立即更新。
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    感谢 John 的回复、让我详细介绍一下。 因此、假设 FET 使用10年、到10年结束时其电流的变化将是多少。 其阈值电压可能会增加、从而导致电流减小。 类似地、Kp 等…将发生变化 因此、如果有此量化、将会很好。 我知道、这是针对集成/片上 MOSFET 完成的、这些 MOSFET 是 nm 器件、但不确定用于分立器件。

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    谢谢您的任何意见

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    您好 Siddharth、
    我已检查、TI 不会收集此类数据。 我们的资质认证测试是老化过程、我们的器件通过了这些行业标准测试方法。
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    感谢 John 的回复、  

    "我们的资质认证测试是老化过程"-因此可能存在硅数据、如随时间的阈值电压降级或类似的任何其他参数 随时间的降级。 在任何地方都可以使用吗?

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    感谢我接受了邀请。