[参考译文] BQ25601：bq25601 vsys volatege at NVDC，从 NVDC 到 DPM 再到补充

请参阅以下我的回答：

当 Mode (模式)更改为 NVDC -> DPM -> Supplement (NVDC -> DPM ->补充)时、您能告诉我 DPM 模式下的 VSYS 电压吗

我的桑格丁是不是很好？ 您是否会让我知道 DPM 模式下的 VSYS？



电池电压< VSYS_MIN

充电时(NVDC)、VSYS = VSYS_MIN + 180mV

答：是的、正确。

在 DPM 模式下 VSYS = VBAT+ VDPM_BAT_TRACK

(第38页)设置 VINDPM 以跟踪 BAT 电压。 实际 VINDPM 高于寄存器值和 VBAT + VDPM_BAT_TRACK

A：在 VINDPM 中、输入电压被调节。 但 VSYS 仍然是3.68V。

请见补编 VSYS = VBAT (通过 BAT FET = ON)

答：是的

2.电池电压>VSYS_MIN

在充电(NVDC)时、VSY= VBAT (第22页、"当电池电压上升到高于最小系统电压时、BATFET 完全导通")

答：是的

在 DPM 模式下 VSYS =?

答：同上。 VINDPM 对 VSYS 没有影响

请见补编 VSYS = VBAT (通过 BAT FET = ON)

答：是的


第23页的图16

*这种情况下的电池电压是否< VSYS_MIN？

*什么是3.6V？

答：VSYS_MIN

*是 vsys_min 3.4V 吗？

A：应该是 VSYS_MIN = 3.6V

*什么是3.18V？
答：当电池放电时、VSYS 低于 VBAT

请您回复。

这是另一个问题。
补充模式描述为(数据表8.3.7.10、第2页)"当系统电压下降180mV (VBAT > VSYSMin)时......... 低于电池电压，BATFET 接通...... "

编码到第22页、"当电池电压上升到高于最小系统电压时、BATFET 完全导通")。

因此 BAT FET 已经在补充模式之前开启。
补充模式描述是否错误？

谨致问候 K.Kanao

请你回答我的问题吗？

谨致问候 K.Kanao

你(们)好
感谢您的支持。
1、补电时、系统电压降至低于电池电压180mv (VBAT>VSYSMIN)。
这种情况是否只会使电池充满电(BAT FET 在电表充电终止时关闭)？
2. BATFETENABLE (退出运输模式)、P27、8.3.10.43
I cualdl 未找到 BATFET Enalbe 寄存器，是否为该 measn BATFET_DIS 寄存器？
OVPFET
在数据表中、OVPFET 是拼写错误。
但在寄存器05位6的 EVM 软件中有一个 OVP 寄存器。 这可以设置为0或1。
是否应将其设置为默认值(0)？

谨致问候 K.Kanao