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[参考译文] CSD17585F5:CSD17585F5 Vgs 最大值

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17585F5
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/745294/csd17585f5-csd17585f5-vgs-maximum-value

器件型号:CSD17585F5

大家好、团队、

CSD17585F5写入的最大 Vgs 应为+20V。 在其他供应商的 MOS 数据表上、我看到他们确实为 N 通道 MOS 指定了最大+-20V 的电压。

在 N MOS 规格内-20V 的实际含义是什么?

低于 Vth 时关闭、因此低于0时将关闭。 CSD17585F5是否支持-20V 而不会损坏?

我可以从数据表中检索该信息吗?

它是一种指定器件的不同方法、还是与内部结构和二极管有关?

谢谢、

日落

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    日落

    感谢您提出问题。
    未在此特定器件上指定-ve 的原因是使用了特定的栅极 ESD 保护结构。 它使用单端二极管 ESD 结构、与许多其他 FET 上使用的背靠背 ESD 栅极结构相比、该结构具有出色的泄漏特性。
    这意味着、如果在栅极上施加-ve 电压、该二极管将从源极传导到栅极。
    如果应用要在栅极上提供-ve 电压、则需要确保栅极上的功耗小于0.25W。
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    感谢您提供信息。
    我怀疑与内部二极管有关的事情。

    谢谢、

    日落