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[参考译文] UCC28951-Q1：UCC28951-Q1

admin
Guru**** 2539500 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/742600/ucc28951-q1-ucc28951-q1

器件型号：UCC28951-Q1

你好，先生

您能解释一下如何在数字万用表的帮助下测试四引脚 MOSFET (如部件号 C3M0065100K)吗？

在什么情况下，MOSFET 可能会损坏或引脚短路？

谢谢、此致

Rajashekar

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    您好 Rajashekar

    恐怕我无法回答与其他公司产品相关的问题。 您应该联系 Cree 支持以获得问题的最终答案。

    此致

    Colin

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    感谢 Colin 的回复。

    您能否大致解释一下如何在数字万用表的帮助下测试 MOSFET 是否损坏或工作正常？

    在哪些情况下，MOSFET 可能会损坏或引脚短路？

    谢谢、此致

    Rajashekar。

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    您好 Rajashekar

    一般而言-首先、将栅极短接到源极-以消除栅极电荷
    测量漏源电阻、然后源漏电阻-您应该在一个方向上看到 O/C、在另一个方向上看到一个二极管。
    对栅极进行开/关
    在导通电阻范围内、将 DVM 的正极引线放置在栅极上、将负极放置在源极上(假设是 Nch)-也不要假定 DVM 的黑色引线为负极、红色为正极！
    这应使栅极电荷高于其阈值。
    请勿触摸栅极
    在"非二极管"方向测量漏源极电阻-栅极电荷应部分导通 MOSFET、因此 RDS_ON 将小于以前的值。
    在测量 RDS 时、使用手指将栅极连接到源极(我假设这里的电压很低、当然小于10V)、并观察 RDS 随着栅极电荷泄漏而增大。

    这与 DVM 差不多。

    此致
    Colin