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器件型号：CSD15380F3 主题中讨论的其他器件：CSD23280F3、
大家好、团队、
我正在串 N 和 P 通道 MOS。
在 N 通道上、由于它们物理尺寸较小(电子迁移率优于空穴迁移率) 、因此 Qg 和输入电容更小不会让我感到意外。 不过、如果我采用两个器件 P 和 N (P：CSD23280F3和 N：CSD15380f3)之间的比率、则 QgP /QgN = 4.4、而 CISSP/CissN = 22.3
我如何解释它？
如果 Qg 还包含米勒电容、如何从 Qg 导出输入电容？
QG 还应包括米勒效应旁边的输入电容效应、因此我本应该具有类似的比率。
感谢您的澄清。
日落
